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E3M0075120K WOLFSPEED 现货与清单询价

E3M0075120K，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4封装，询盘确认库存，特性：第三代碳化硅MOSFET技术。 采用独立驱动源引脚的优化封装。 漏极和源极之间的爬电距离为8mm。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷(Qrr)。应用：电动汽车电池充电器。