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C3M0900170D-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

C3M0900170D-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，这是一款N沟道增强型场效应管，具有1700V的高漏源击穿电压（VDSS），可承受较高的电压应力，适用于高压开关场合。其连续漏极电流（ID）达5A，导通电阻（RDON）典型值为800mΩ，有助于降低导通损