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2SK3748-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

2SK3748-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本产品为N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），具有较高的电压耐受能力和稳定的开关性能。主要参数包括：最大漏极电流ID为3.7A，漏源击穿电压VDSS达1500V，导通电阻RDON为1000mΩ，栅源电压范围

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MPN
2SK3748-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-3PF
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/2SK3748-HXY
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