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2N5551S-RTK/P KEC 现货与清单询价
2N5551S-RTK/P，KEC，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，SOT-23封装，询盘确认库存，特性：高集电极击穿电压：VCBO = 180V，VCEO = 160V。 低泄漏电流：ICBO = 50mA(Max.)，VCP = 120V。 低饱和电压：VCE(sat) = 0.2V(Max.)，IC = 50mA，IB = 5mA。 低
- MPN
- 2N5551S-RTK/P
- 品牌/制造商
- KEC
- 封装
- SOT-23
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/2N5551S-RTK%2FP