PUBLIC PAGE SUMMARY
TPH2R306NH,L1Q(M TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价
TPH2R306NH,L1Q(M，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，QFN-8封装，95,000件现货，特性：高速开关。 小栅极电荷：QSW = 26 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.9 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS
- MPN
- TPH2R306NH,L1Q(M
- 品牌/制造商
- TOSHIBA(东芝)
- 封装
- QFN-8
- 库存状态
- 95,000 件公开现货
- 资料入口
- /datasheet/TPH2R306NH%2CL1Q(M