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TVS 瞬态抑制二极管现货库存与BOM询价
TVS管、ESD保护、浪涌保护器件现货型号、封装和参数查询。 当前匹配 50,107 个公开可查询型号。公开现货可先按数量、封装和品牌缩小范围,再进入详情核对资料。
50,107匹配型号
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6常见封装
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
H5VL10B
R+O(宏嘉诚)
H5VL10B,R+O(宏嘉诚),TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2L封装,询盘确认库存,VC:10V@5A,Cj_Typ:15pF,丝印 PBTVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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MLVB04V18C0R5
EATON(伊顿)
MLVB04V18C0R5,EATON(伊顿),TVS/保险丝/板级保护 > 压敏电阻,0402封装,询盘确认库存,特性:氧化锌基陶瓷芯片。 低电容,满足高速瞬态电压保护需求。 提供静电放电保护,响应时间快(<1ns),使设备能通过IEC 61000-4-2 4级测试。 低外形设计,节省电路板空间。 低且稳定的泄漏电流,降低功耗。 低钳位电压。应用:计算机及TVS/保险丝/板级保护 > 压敏电阻
0402
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ESDALC14-1BF4
ST(意法半导体)
ESDALC14-1BF4,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),0201封装,询盘确认库存,低钳位、低电容双向单线ESD保护三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
0201
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SYT01A05DXC
Silergy(矽力杰)
SYT01A05DXC,Silergy(矽力杰),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),UDFN-2封装,询盘确认库存,SYT01A05DXC是一款超低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。SYT01A05DXC的典型电容仅为0.15 pF,旨在保护对寄生效应敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
UDFN-2
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LESD8LV12CT5G
LRC(乐山无线电)
LESD8LV12CT5G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOD-882封装,询盘确认库存,LESD8LV12CT5G三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-882
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SM6T100A
ST(意法半导体)
SM6T100A,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SMB封装,询盘确认库存,SM6T Transil 系列专为保护敏感设备而设计,可抵御符合 IEC 61000 - 4 - 2 和 MIL STD 883 方法 3015 标准的静电放电,以及符合 IEC 61000 - 4 - 4 和 5 标准的电气过应力三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SMB
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ESD5Z2.5T5G
onsemi(安森美)
ESD5Z2.5T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOD-523封装,询盘确认库存,ESD5Z2.5T5G三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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ESD5Z3.3T5G
onsemi(安森美)
ESD5Z3.3T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOD-523封装,询盘确认库存,ESD5Z 系列旨在保护电压敏感元件免受 ESD 和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限设计中 ESD 保护的理想选择。由于其尺寸小巧,适用于手机、便携式设备、数码相机、三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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ESD5Z5.0T1G
ON超美超美超美
ESD5Z5.0T1G,ON超美超美超美,TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOD-523封装,1,510,000件现货,旨在保护对电压敏感的组件免受ESD和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限的设计中ESD保护的理想选择。TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
1,510,000
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AMLV06V18C012
EATON(伊顿)
AMLV06V18C012,EATON(伊顿),TVS/保险丝/板级保护 > 压敏电阻,0603封装,询盘确认库存,0.03焦耳 压敏电阻TVS/保险丝/板级保护 > 压敏电阻
0603
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SMA6J33CA-TR
ST(意法半导体)
SMA6J33CA-TR,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SMA封装,询盘确认库存,双向TVS 33V截止三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SMA
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SZMMBZ20VALT3G
onsemi(安森美)
SZMMBZ20VALT3G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-23封装,询盘确认库存,SZMMBZ20VALT3G三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23
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SMA6J40CA-TR
ST(意法半导体)
SMA6J40CA-TR,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SMA封装,询盘确认库存,TVS 40V截止 48A峰值脉冲三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SMA
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S2ZMMBZ18VALT1G
onsemi(安森美)
S2ZMMBZ18VALT1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-23-3封装,询盘确认库存,S2ZMMBZ18VALT1G三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23-3
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SZMMBZ18VALT1G
onsemi(安森美)
SZMMBZ18VALT1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-23-3封装,询盘确认库存,SZMMBZ18VALT1G三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23-3
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SRV05-4.TCT
SEMTECH/升特
SRV05-4.TCT,SEMTECH/升特,TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-23-6封装,949,922件现货,特性:超低电容:典型值0.3pF(I/O到I/O)。 超低泄漏:nA级别。 低工作电压:5V。应用:USB 2.0和USB 3.0端口TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23-6
949,922
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MOV-07D470KTR
Bourns
MOV-07D470KTR,Bourns,TVS/保险丝/板级保护 > 压敏电阻,插件封装,询盘确认库存,钳位电压93V 2.5焦耳 插件压敏电阻TVS/保险丝/板级保护 > 压敏电阻
插件
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SZNUP2105LT1G
onsemi(安森美)
SZNUP2105LT1G,onsemi(安森美),TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-23-3封装,926,888件现货,SZ/NUP2105L专为保护高速和容错网络中的CAN收发器免受ESD和其他有害瞬态电压事件的影响而设计。该器件采用单个紧凑型SOT - 23封装,为每条数据线提供双向保护,为系统设计人员提供了一种低TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23-3
926,888
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ESD8472BMUT5G
onsemi(安森美)
ESD8472BMUT5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),X3DFN封装,询盘确认库存,ESD8472BMUT5G三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X3DFN
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ESDM2032MX4T5G
onsemi(安森美)
ESDM2032MX4T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-0603-2封装,询盘确认库存,ESDM2032旨在保护需要低电容的电压敏感元件,使其免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间,使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2
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MMBZ27VCWT3G
onsemi(安森美)
MMBZ27VCWT3G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SC-70-3封装,询盘确认库存,TVS 22V截止 1A峰值脉冲三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SC-70-3
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SZMMBZ15VDLT3G
onsemi(安森美)
SZMMBZ15VDLT3G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-23封装,询盘确认库存,这些双路单片硅齐纳二极管适用于需要瞬变过电压保护功能的应用。此类器件适用于电压和 ESD 灵敏设备中,如计算机、打印机、商务机、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阴极设计仅使用一个封装即可保护两个单独的线路。此三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23
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SZMMBZ27VALT3G
onsemi(安森美)
SZMMBZ27VALT3G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-23封装,询盘确认库存,双向ESD 22V截止 峰值浪涌电流:1A@1.0ms三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23
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SZMMBZ33VALT3G
onsemi(安森美)
SZMMBZ33VALT3G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-23封装,询盘确认库存,SZMMBZ33VALT3G三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23
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