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ROHM(罗姆) 现货结果

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类目：
场效应管(MOSFET)三极管(BJT)
品牌：
ROHM(罗姆)
封装/规格：
TSMT5
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型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

QSZ2TR

ROHM(罗姆)

晶体管类型:NPN+PNP · 集电极电流(Ic):1.5A
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
TSMT5
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QSL9TR

ROHM(罗姆)

晶体管类型:PNP · 集电极电流(Ic):1.5A
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
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QSZ1TR

ROHM(罗姆)

晶体管类型:NPN+PNP · 集电极电流(Ic):2A
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QSZ4TR

ROHM(罗姆)

晶体管类型:NPN+PNP · 集电极电流(Ic):2A
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
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QS5W1TR

ROHM(罗姆)

晶体管类型:NPN · 集电极电流(Ic):3A
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
TSMT5
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QS5W2TR

ROHM(罗姆)

晶体管类型:NPN · 集电极电流(Ic):3A
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
TSMT5
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QS5Y1TR

ROHM(罗姆)

晶体管类型:NPN+PNP · 集电极电流(Ic):3A
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
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QSL11TR

ROHM(罗姆)

晶体管类型:PNP · 集电极电流(Ic):1A
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
TSMT5
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QSL12TR

ROHM(罗姆)

晶体管类型:NPN · 集电极电流(Ic):1A
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QS5U12TR

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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QS5U13TR

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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QS5U16TR

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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QS5U17TR

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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QS5U21TR

ROHM(罗姆)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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QS5U23TR

ROHM(罗姆)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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QS5U26TR

ROHM(罗姆)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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QS5U28TR

ROHM(罗姆)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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QS5U33TR

ROHM(罗姆)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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QS5U34TR

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TSMT5
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QS5U36TR

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TSMT5
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