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封装：TO-92-3L
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类目：
结型场效应管(JFET)
品牌：
onsemi(安森美)
封装/规格：
TO-92-3L
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结果货架 当前页 9 行 / 共 9 个 搜索：J / 封装：TO-92-3L
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

J113

onsemi(安森美)

特性：专为低电平模拟开关、采样保持电路和斩波稳定放大器设计 · 源极和漏极可互换
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封装TO-92-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)
TO-92-3L
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J111

onsemi(安森美)

特性：该器件专为低电平模拟开关、采样保持电路和斩波稳定放大器而设计 · 源自工艺51
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封装TO-92-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)
TO-92-3L
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J112

onsemi(安森美)

栅源截止电压(VGS(off)):1V@1uA · 栅源击穿电压(Vgss):35V
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封装TO-92-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)
TO-92-3L
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J109

onsemi(安森美)

栅源截止电压(VGS(off)):2V@10nA · 栅源击穿电压(Vgss):25V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-92-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)
TO-92-3L
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J113-D74Z

onsemi(安森美)

栅源截止电压(VGS(off)):500mV@1uA · 栅源击穿电压(Vgss):35V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-92-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)
TO-92-3L
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J109-D26Z

onsemi(安森美)

栅源截止电压(VGS(off)):2V@10nA · 栅源击穿电压(Vgss):25V
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封装TO-92-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)
TO-92-3L
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J112-D27Z

onsemi(安森美)

FET类型:1个N沟道 · 栅源截止电压(VGS(off)):1V@1uA
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封装TO-92-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)
TO-92-3L
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J112-D26Z

onsemi(安森美)

栅源截止电压(VGS(off)):1V@1uA · 栅源击穿电压(Vgss):35V
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封装TO-92-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)
TO-92-3L
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J175-D26Z

onsemi(安森美)

栅源截止电压(VGS(off)):3V@10nA · 栅源击穿电压(Vgss):30V
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封装TO-92-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)
TO-92-3L
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