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TO-3PF 现货结果

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封装:TO-3PF-3
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型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

KNH2908B

KIA

漏源电压(Vdss):80V · 连续漏极电流(Id):130A
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封装TO-3PF-3 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-3PF-3
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SE3N150P

SINO-IC(光宇睿芯)

漏源电压(Vdss):1.5kV · 连续漏极电流(Id):3A
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封装TO-3PF-3 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-3PF-3
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BU941ZPFI

ST(意法半导体)

类型:NPN · 集射极击穿电压(Vceo):350V
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封装TO-3PF-3 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 达林顿管
TO-3PF-3
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KNL42150A

KIA

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.5kV
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封装TO-3PF-3 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-3PF-3
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PTH03N150

PIP(丽隽)

PTH03N150
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-3PF-3
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P3D06020P3

PN Junction

整流电流:40A · 直流反向耐压(Vr):650V
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二极管 / 碳化硅二极管
TO-3PF-3
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FFAF30UA60S

onsemi(安森美)

二极管配置:独立式 · 正向压降(Vf):2.2V@30A
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二极管 / 快恢复/高效率二极管
TO-3PF-3
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FGAF20S65AQ

onsemi(安森美)

FGAF20S65AQ
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3PF-3
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FGAF30S65AQ

onsemi(安森美)

FGAF30S65AQ
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3PF-3
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FGAF40S65AQ

onsemi(安森美)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3PF-3
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SBT700-06RH

onsemi(安森美)

SBT700-06RH
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二极管 / 肖特基二极管
TO-3PF-3
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FGAF40N60SMD

onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术 · 为低导通和开关损耗至关
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3PF-3
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FFAF60UA60DN

onsemi(安森美)

二极管配置:1对共阴极 · 正向压降(Vf):2.2V@30A
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二极管 / 快恢复/高效率二极管
TO-3PF-3
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SGF5N150UFTU

onsemi(安森美)

停产 SGF5N150UFTU
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3PF-3
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SGF80N60UFTU

onsemi(安森美)

SGF80N60UFTU
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3PF-3
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STGFW30H65FB

ST(意法半导体)

STGFW30H65FB
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3PF-3
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BYV430J-600PQ

WeEn(瑞能)

二极管配置:1对共阴极 · 正向压降(Vf):1.5V@30A
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二极管 / 快恢复/高效率二极管
TO-3PF-3
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FGAF40N60UFTU

onsemi(安森美)

安森美半导体的 IGBT 具有低导通和开关损耗 · UF 系列设计适用于必须具备高速开关功能的应用
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3PF-3
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FGAF40N60UFDTU

onsemi(安森美)

安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术 · 为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3PF-3
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