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XL9028

XLSEMI(芯龙)

功能类型:降压型 · 工作电压:5V~45V
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封装TO-263-7L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
电源与功率 / DC-DC电源芯片
TO-263-7L
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XL9027

XLSEMI(芯龙)

功能类型:降压型 · 工作电压:5V~45V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263-7L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
电源与功率 / DC-DC电源芯片
TO-263-7L
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RM76006TS

Reactor-Micro(亚成微)

类型:高侧开关 · 最大连续电流:17A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263-7L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
电源与功率 / 功率电子开关
TO-263-7L
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HC1M40120J

HXY MOSFET(华轩阳电子)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263-7L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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S1M075120J2

SICHAIN(清纯)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263-7L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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SG1M160120J

SICHAIN(清纯)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263-7L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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RM77007TSP1

Reactor-Micro(亚成微)

类型:高侧开关 · 输入控制逻辑:低电平有效
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封装TO-263-7L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
电源与功率 / 功率电子开关
TO-263-7L
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BCBF65N25W1

Bestirpower(萃锦半导体)

数量:1个N沟道 · 类型:单管
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封装TO-263-7L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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CI7N170SMD7

Tokmas(托克马斯)

漏源电压(Vdss):1.7kV · 连续漏极电流(Id):7A
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封装TO-263-7L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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BCBF65N45M1

Bestirpower(萃锦半导体)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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封装TO-263-7L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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SG2M040075JJ

SICHAIN(清纯)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):750V
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封装TO-263-7L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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SCT4018KW7TL

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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SG2M060075JJ

SICHAIN(清纯)

SIC MOSFET 750V60mΩ
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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HC3M001K170J

HXY MOSFET(华轩阳电子)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.7kV
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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SG2M040120JJ

SICHAIN(清纯)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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封装TO-263-7L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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CI30N120SMD7

Tokmas(托克马斯)

漏源电压(Vdss):1.2kV · 连续漏极电流(Id):31A
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封装TO-263-7L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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BCBF120N80M1

Bestirpower(萃锦半导体)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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封装TO-263-7L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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SG2M025075JJ

SICHAIN(清纯)

SIC MOSFET 750V25mΩ
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封装TO-263-7L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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BCBF120N40M1

Bestirpower(萃锦半导体)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263-7L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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NCEP40T35AVD

NCE(无锡新洁能)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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SG2M027120JJ

SICHAIN(清纯)

SIC MOSFET 1200V27mΩ
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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SG2M040120JH

SICHAIN(清纯)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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封装TO-263-7L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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HC3M0075120J

HXY MOSFET(华轩阳电子)

漏源电压(Vdss):1.2kV · 连续漏极电流(Id):30A
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封装TO-263-7L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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BCBF120N21M1

Bestirpower(萃锦半导体)

数量:1个N沟道 · 类型:1个N沟道
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封装TO-263-7L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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