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型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

3020

HL(富海微)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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封装TO-252-4L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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XR20G10

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):100V · 100V
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封装TO-252-4L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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HSU4600

HUASHUO(华朔)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):25A
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封装TO-252-4L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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WSF3013C

WINSOK(微硕)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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封装TO-252-4L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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RU40C40L4

Ruichips(锐骏半导体)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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封装TO-252-4L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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