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封装：TO-252
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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HL(富海微)Huixin(慧芯)
封装/规格：
TO-252
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4N50

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):500V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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30P06

HL(富海微)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):30A
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30N10

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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40P03

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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50P02

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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70P03

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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40P02

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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15P06

HL(富海微)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):15A
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50P04

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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50P06

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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20P10

HL(富海微)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):20A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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30N04

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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50N04

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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80N03

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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25P04

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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20N04

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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10P10

HL(富海微)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):10A
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20N10

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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10P06

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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H5N50G

Huixin(慧芯)

漏源电压(Vdss):500V · 连续漏极电流(Id):5A
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60N04B

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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H3N80D

Huixin(慧芯)

漏源电压(Vdss):800V · 连续漏极电流(Id):3A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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100N03

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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封装TO-252 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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S60N10

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-252 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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