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20P06

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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20P03

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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20N02

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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20P10

HL(富海微)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):20A
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20N03

JUXING(钜兴)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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20N04

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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20N10

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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20N06

UMW(友台半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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20P06S

GOODWORK(固得沃克)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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2060K.

FM(富满)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):60A
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20N06-ES

ElecSuper(静芯)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):20A
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2060A(NMOS)

FM(富满)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):60A
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9N20

HL(富海微)

漏源电压(Vdss):200V · 连续漏极电流(Id):9A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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5N20

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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UFD320

DIYI(迪一/芯诺)

二极管配置:独立式 · 正向压降(Vf):930mV@3A
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二极管 / 快恢复/高效率二极管
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K15N20

KUU

漏源电压(Vdss):200V · 连续漏极电流(Id):17A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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TX20N03

XDS(芯鼎盛)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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FH2050D

鑫飞宏

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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WSF2040

WINSOK(微硕)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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AP5N20K

ALLPOWER(铨力)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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FH2045D

鑫飞宏

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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DH200PG

DOINGTER(杜因特)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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DOD5N20

DOINGTER(杜因特)

漏源电压(Vdss):200V · 连续漏极电流(Id):5A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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DOD9N20

DOINGTER(杜因特)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-252 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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