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630A

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):200V · 连续漏极电流(Id):9A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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18N20

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):200V · 连续漏极电流(Id):18A
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G1N60B

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):600V · 连续漏极电流(Id):1A
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G4N50J

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):500V · 连续漏极电流(Id):4A
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SE6003C

SINO-IC(光宇睿芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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AGM612I

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):50A
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AU4N60S

AnBon(安邦)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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CED3120

CET(华瑞)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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CED6186

CET(华瑞)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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CS5N20A3

华润华晶

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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MPU04N65

MP(美禄科技)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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CMU3090L

Cmos(广东场效应半导体)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):90A
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CED83A3G

CET(华瑞)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AU10N65S

AnBon(安邦)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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CS3N80A3

华润华晶

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):800V
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CS4N65A3R

华润华晶

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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CS2N60A3H

华润华晶

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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WGU7N60SE

Wild Goose(威谷)

漏源电压(Vdss):600V · 连续漏极电流(Id):7A
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WGU7N65SE

Wild Goose(威谷)

漏源电压(Vdss):650V · 连续漏极电流(Id):7A
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WGU5N65SE

Wild Goose(威谷)

漏源电压(Vdss):650V · 导通电阻(RDS(on)):2.5Ω@10V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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WGU4N65SE

Wild Goose(威谷)

漏源电压(Vdss):650V · 导通电阻(RDS(on)):2.5Ω@10V
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30N06-KTP

KTP(科泰普)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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WGU2N65SE

Wild Goose(威谷)

漏源电压(Vdss):650V · 连续漏极电流(Id):2A
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封装TO-251 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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CMU50N06N

Cmos(广东场效应半导体)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):50A
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封装TO-251 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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