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封装:TO-220SIS
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TK6A80E,S4X(S

TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):800V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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TK7A90E,S4X(S

TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):900V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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TK5A80E,S4X(S

TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):800V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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TK8A25DA,S4X(S

TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):250V
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GT20J341,S4X(S

TOSHIBA(东芝)

集射极击穿电压(Vces):600V · 集电极电流(Ic):20A
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
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TK560A65Y,S4X(S

TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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TK22A10N1,S4X(S

TOSHIBA(东芝)

TK22A10N1 · S4X(S
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220SIS
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TK30A06N1,S4X(S

TOSHIBA(东芝)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):30A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220SIS
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TK42A12N1,S4X(S

TOSHIBA(东芝)

TK42A12N1 · S4X(S
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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TK3A90E,S4X

TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):900V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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TK4A80E,S4X

TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):800V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220SIS
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TK5A80E,S4X

TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):800V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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TK7A80W,S4X

TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):800V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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TK9A90E,S4X

TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):900V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220SIS
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TK17A80W,S4X

TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):800V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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GT15J341,S4X

TOSHIBA(东芝)

GT15J341 · S4X
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-220SIS
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TK10A60W,S4X

TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220SIS
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TK10A80W,S4X

TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):800V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220SIS
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TK12A80W,S4X

TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):800V
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封装TO-220SIS 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220SIS
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TK16A60W,S4X

TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220SIS
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TTA1452B,S4X

TOSHIBA(东芝)

晶体管类型:PNP · 集电极电流(Ic):12A
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封装TO-220SIS 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
TO-220SIS
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TTD1409B,S4X

TOSHIBA(东芝)

类型:NPN · 集射极击穿电压(Vceo):400V
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三极管/MOS管/晶体管 / 达林顿管
TO-220SIS
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TK090A65Z,S4X

TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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封装TO-220SIS 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220SIS
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TK110A65Z,S4X

TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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封装TO-220SIS 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220SIS
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