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封装：TO-220SIS
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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
TOSHIBA(东芝)
封装/规格：
TO-220SIS
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TK3A60DA(Q,M)

TOSHIBA(东芝)

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TK2A65D(STA4,Q,M)

TOSHIBA(东芝)

漏源电压(Vdss):650V · 连续漏极电流(Id):2A
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TK4A60D(STA4,Q,M)

TOSHIBA(东芝)

TK4A60D(STA4 · Q
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TK5A50D(STA4,X,M)

TOSHIBA(东芝)

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TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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TK6A50D(STA4,Q,M)

TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):500V
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TK6A53D(STA4,Q,M)

TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):525V
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TK7A50D(STA4,Q,M)

TOSHIBA(东芝)

漏源电压(Vdss):500V · 连续漏极电流(Id):7A
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TK7A55D(STA4,Q,M)

TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):550V
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TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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TK8A45D(STA4,Q,M)

TOSHIBA(东芝)

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TK9A45D(STA4,Q,M)

TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):450V
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