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TOSHIBA(东芝) / RENESAS(瑞萨)/IDT / CRMICRO(华润微) / FUJI(富士电机)TO-220
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

2SK3569

TOSHIBA(东芝)

2SK3569，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，10,000件现货，MOS(场效应管)
批号 22+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
10,000
询盘报价
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2SK4145-S19-AY

RENESAS(瑞萨)/IDT

2SK4145-S19-AY，RENESAS(瑞萨)/IDT，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，7,500件现货，N沟道,电流:84A,耐压:60V
批号 2010+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
7,500
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CRTT029N06N

CRMICRO(华润微)

CRTT029N06N，CRMICRO(华润微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，14,000件现货，特性：使用CRM(CQ)先进沟槽技术。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积(FOM)。 符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。 电池管理
批号 21+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
14,000
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CRTT067N10N

CRMICRO(华润微)

CRTT067N10N，CRMICRO(华润微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，7,000件现货，特性：使用CRM(CQ)先进沟槽技术。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积（品质因数）。 符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。 电池管理
批号 23+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
7,000
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FMV06N90E

FUJI(富士电机)

FMV06N90E，FUJI(富士电机)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，3,000件现货，特性：保持低功耗和低噪声。 较低的Rs(on)特性。 通过栅极电阻可更可控地开关dv/dt。 开关期间较小的Vss振铃波形。 栅极阈值电压范围窄 (4.0 ± 0.5V)。 高雪崩耐久性。应用：开关稳压器。 不间断电源 (UP
批号 25+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
3,000
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HY1906P

HUAYI(华羿微)

HY1906P，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，11,150件现货，N沟道
批号 25+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
11,150
询盘报价
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HY3010P

HUAYI(华羿微)

HY3010P，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，4,000件现货，N沟道
批号 25+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
4,000
询盘报价
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HYG020N04NR1P

HUAYI(华羿微)

HYG020N04NR1P，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，8,000件现货，特性：40V/220A。 RDS(ON) = 1.9mΩ（典型值），VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 锂电池保护
批号 26+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
8,000
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HYG023N04NR1P

HUAYI(华羿微)

HYG023N04NR1P，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，12,000件现货，HYG023N04NR1P
批号 25+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
12,000
询盘报价
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HYG025N06LS1P

HUAYI(华羿微)

HYG025N06LS1P，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，180,000件现货，特性：60V/160A。 RDS(ON) = 2.5 mΩ (typ.) @ VGS = 4.5 V。 RDS(ON) = 3.7 mΩ (typ.) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。
批号 25+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
180,000
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HYG042N10NS1P

HUAYI(华羿微)

HYG042N10NS1P，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，5,000件现货，N沟道增强型MOSFET,电流:160A,耐压:100V
批号 25+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
5,000
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HYG053N10NS1P

HUAYI(华羿微)

HYG053N10NS1P，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，8,000件现货，特性：100V/120A，RDS(ON)=4.8 mΩ(典型值)@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有符合RoHS标准的无卤器件。应用：开关应用。 逆变器系统电源管理
批号 26+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
8,000
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HYG065N07NS1P

HUAYI(华羿微)

HYG065N07NS1P，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，19,300件现货，特性：70V/100A，RDS(ON) = 5.5mΩ（典型值），VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
批号 25+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
19,300
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HYG200P10LR1P

HUAYI(华羿微)

HYG200P10LR1P，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，8,000件现货，特性：100V / -80A。 RDS(ON)=20 mΩ(typ.) @ VGS=-10V。 RDS(ON)=24 mΩ(typ.) @ VGS=-4.5V。 100%雪崩测试。 可靠且坚固。 提供无铅和环保器件（符
批号 25+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
8,000
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IRF1404PBF

OSEN(欧芯)

IRF1404PBF，OSEN(欧芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，303,000件现货，高品质MOS管,电流180A,耐压40V,导通电阻：4.6mΩ
批号 26+,25+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
303,000
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IRF3205PBF

OSEN(欧芯)

IRF3205PBF，OSEN(欧芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，209,806件现货，1个N沟道 耐压:55V 电流:110A MOS管
批号 26+,22+,25+,24+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
209,806
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IRF3710PBF

OSEN(欧芯)

IRF3710PBF，OSEN(欧芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，220,000件现货，N沟道,电流59A.耐压100V，导通电阻：0.014Ω
批号 25+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
220,000
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IRF540NPBF

OSEN(欧芯)

IRF540NPBF，OSEN(欧芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，260,000件现货，N沟道,电流33A.耐压100V，导通电阻：35mΩ
批号 25+,26+,25+26+,21+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
260,000
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IRF640NPBF

OSEN(欧芯)

IRF640NPBF，OSEN(欧芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，1,084,213件现货，高品质MOS管,电流18A,耐压200V,导通电阻：0.12Ω
批号 25+,24+,22+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
1,084,213
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IRF740PBF

OSEN(欧芯)

IRF740PBF，OSEN(欧芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，203,391件现货，1个N沟道 耐压:450V 电流:11A MOS管
批号 24+,21+,25+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
203,391
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IRFBG30PBF

Tokmas(托克马斯)

IRFBG30PBF，Tokmas(托克马斯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，11,000件现货，高压MOS 1000V4A 内阻4.5欧姆
批号 25+,22+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
11,000
询盘报价
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IRFP064NPBF

OSEN(欧芯)

IRFP064NPBF，OSEN(欧芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-247封装，354,000件现货，高品质MOS管 N沟道 电流:110A 耐压:55V 导通电阻：7mΩ
批号 2415,25+,26+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247
354,000
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IRFZ44NPBF

OSEN(欧芯)

IRFZ44NPBF，OSEN(欧芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，186,213件现货，N沟道,60V,50A,导通电阻：18mΩ
批号 26+,25+,24+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
186,213
询盘报价
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IXFP34N65X2

Littelfuse/IXYS

IXFP34N65X2，Littelfuse/IXYS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，20,000件现货，特性：国际标准封装。 低RDS(ON)和QG。 雪崩额定。 低封装电感。 高功率密度。 易于安装。应用：开关模式和共振模式电源。 DC-DC转换器
批号 24+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
20,000
询盘报价
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PROCUREMENT CONTEXT

MOSFET 现货采购说明

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1,653匹配型号 6高频品牌 2封装规格
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