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封装/规格：TO-18
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结果货架 当前页 24 行 / 共 137 个 封装/规格：TO-18
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

10TP583T

semitec(石冢)

红外线传感器
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传感器 / 人体感应传感器
TO-18
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2N2221PBFREE

Central(中环)

晶体管类型:NPN · 集电极电流(Ic):800mA
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TO-18
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2N2222APBFREE

Central(中环)

2N2222A PBFREE
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
TO-18
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2N2222PBFREE

Central(中环)

晶体管类型:NPN · 集射极击穿电压(Vceo):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
TO-18
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2N2369APBFREE

Central(中环)

晶体管类型:NPN · 集电极电流(Ic):200mA
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
TO-18
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2N2484PBFREE

Central(中环)

晶体管类型:NPN · 集射极击穿电压(Vceo):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
TO-18
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2N2608

Microchip(美国微芯)

FET类型:1个P沟道 · 栅源截止电压(VGS(off)):750mV@1uA
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三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)
TO-18
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2N2609

Microchip(美国微芯)

FET类型:1个P沟道 · 栅源截止电压(VGS(off)):750mV@1A
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三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)
TO-18
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2N2907

MOTOROLA(摩托罗拉)

晶体管类型:PNP · 集电极电流(Ic):600mA
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TO-18
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2N2907APBFREE

Central(中环)

晶体管类型:PNP · 集电极电流(Ic):600mA
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
TO-18
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2N2907PBFREE

Central(中环)

晶体管类型:PNP · 集电极电流(Ic):600mA
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
TO-18
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2N3027

Solid State System

可控硅类型:1个单向可控硅 · 门极触发电压(Vgt):600mV
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三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块
TO-18
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2N3028

Solid State System

可控硅类型:1个单向可控硅 · 保持电流(Ih):4mA
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三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块
TO-18
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2N3117PBFREE

Central(中环)

晶体管类型:NPN · 集射极击穿电压(Vceo):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
TO-18
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2N3250PBFREE

Central(中环)

晶体管类型:PNP · 集射极击穿电压(Vceo):40V
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2N3700PBFREE

Central(中环)

晶体管类型:NPN · 集电极电流(Ic):1A
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
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2N3947PBFREE

Central(中环)

晶体管类型:NPN · 集电极电流(Ic):200mA
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
TO-18
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2N3964PBFREE

Central(中环)

晶体管类型:PNP · 集电极电流(Ic):200mA
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
TO-18
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2N4013PBFREE

Central(中环)

晶体管类型:NPN · 集射极击穿电压(Vceo):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
TO-18
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2N4091

Microchip(美国微芯)

栅源击穿电压(Vgss):40V · 耗散功率(Pd):360mW
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三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)
TO-18
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2N4092

Microchip(美国微芯)

FET类型:1个N沟道 · 漏源电流(Idss):15mA@20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)
TO-18
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2N4391

Solid State System

FET类型:1个N沟道 · 栅源截止电压(VGS(off)):4V@1nA
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三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)
TO-18
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2N4391PBFREE

Central(中环)

FET类型:1个N沟道 · 栅源截止电压(VGS(off)):10V@1nA
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封装TO-18 可供数量询盘确认 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)
TO-18
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2N4392

Solid State System

FET类型:1个N沟道 · 栅源截止电压(VGS(off)):2V@1nA
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封装TO-18 可供数量询盘确认 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)
TO-18
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