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5N06

KUU

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-89
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10N03F

KUU

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):10A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-89
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CEA3252

CET(华瑞)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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SOT-89
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CEA6426

CET(华瑞)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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CME10N04

Cmos(广东场效应半导体)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):10A
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SOT-89
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HSK02N20

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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KNS5610A

KIA

漏源电压(Vdss):100V · 导通电阻(RDS(on)):115mΩ@10V
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SOT-89
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2SK3065B

Cmos(广东场效应半导体)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):9A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SP60N80T8

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):5A
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G1K3N10GH

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):5A
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5N10SOT-89

KUU

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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PJM03N10SQ

PJSEMI(平晶微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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PJM10N60SQ

PJSEMI(平晶微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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PJM03N60SQ

PJSEMI(平晶微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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ESGNF10R90

ElecSuper(静芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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PJM3400NSQ

PJSEMI(平晶微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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PJM20N60SQ

PJSEMI(平晶微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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SOT-89
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PJM05N60SQ

PJSEMI(平晶微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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CPC3720CTR

Littelfuse/IXYS

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):350V
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SOT-89
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NCE0103M-ES

ElecSuper(静芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-89
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PJM10H06NSQ

PJSEMI(平晶微)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):9A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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MCA03N06-TP

MCC(美微科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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XP161A1355PR

TOREX(特瑞仕)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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SOT-89
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RHP020N06T100

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-89
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