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10MA 现货库存

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10MA 现货结果

共 18 个匹配型号

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EMD22

CJ(江苏长电/长晶)

集电极电流(Ic):100mA · 耗散功率(Pd):150mW
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封装SOT-563 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
SOT-563
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EMD5T2R

ROHM(罗姆)

集射极击穿电压(Vceo):50V · 集电极电流(Ic):100mA
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封装SOT-563 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
SOT-563
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EMF8T2R

ROHM(罗姆)

集射极击穿电压(Vceo):12V · 集电极电流(Ic):500mA
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封装SOT-563 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
SOT-563
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EMD22T2R

ROHM(罗姆)

集射极击穿电压(Vceo):50V · 集电极电流(Ic):100mA
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封装SOT-563 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
SOT-563
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EMH10-TP

MCC(美微科)

集电极电流(Ic):100mA · 耗散功率(Pd):150mW
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封装SOT-563 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
SOT-563
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EMH11-TP

MCC(美微科)

集电极电流(Ic):100mA · 耗散功率(Pd):150mW
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三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
SOT-563
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EML20T2R

ROHM(罗姆)

集射极击穿电压(Vceo):50V · 集电极电流(Ic):100mA
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三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
SOT-563
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EMF5XV6T5G

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vceo):50V · 耗散功率(Pd):500mW
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三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
SOT-563
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EMD22FHAT2R

ROHM(罗姆)

数量:1个PNP-预偏置 · 1个NPN
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三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
SOT-563
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EMH10FHAT2R

ROHM(罗姆)

数量:2个NPN-预偏置 · 直流电流增益(hFE):80@10mA
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三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
SOT-563
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MMDT3904VC-7

DIODES(美台)

晶体管类型:NPN · 集电极电流(Ic):200mA
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
SOT-563
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SSM6N44FE,LM

TOSHIBA(东芝)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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SSM6N35AFE,LF

TOSHIBA(东芝)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):250mA
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封装SOT-563 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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SSM6P35AFE,LF

TOSHIBA(东芝)

数量:2个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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封装SOT-563 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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NSVR0320XV6T1G

onsemi(安森美)

正向压降(Vf):270mV@10mA · 直流反向耐压(Vr):23V
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二极管 / 肖特基二极管
SOT-563
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NSBC114YDXV6T1G

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vceo):50V · 集电极电流(Ic):100mA
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封装SOT-563 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
SOT-563
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PJX8838_R1_00001

PANJIT(强茂)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):50V
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封装SOT-563 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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SSM6P15FE(TE85L,F)

TOSHIBA(东芝)

数量:2个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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封装SOT-563 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-563
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