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20P07

HL(富海微)

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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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20P09L

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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20P07A

GOODWORK(固得沃克)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):7A
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TF207N

TF(拓锋)

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TF207P

TF(拓锋)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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WST2088

WINSOK(微硕)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):8.8A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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XR2320L

XNRUSEMI(新锐)

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CJK2009

CJ(江苏长电/长晶)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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CMN5N20

Cmos(广东场效应半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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CMN2042M

Cmos(广东场效应半导体)

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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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WST2088A

WINSOK(微硕)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):7.5A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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G01N20LE

GOFORD(谷峰)

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HAL206SO

Hallwee(霍尔微电子)

工作电压:1.8V~5.5V · 工作电流:8uA
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传感器 / 线性霍尔传感器
SOT-23-3L
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SP2013T1

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):11A
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PTL20P07B

HT(金誉)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):7A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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SP20P18T1

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):7A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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XR20P09L2

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):9A
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SOT-23-3L
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SP20N09T1

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):7A
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SOT-23-3L
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SP20P22T1

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):5.5A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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SP20P35T1

Siliup(矽普)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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TMN2006MI

TMC(台懋)

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SOT-23-3L
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TMN2010MI

TMC(台懋)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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X45P020TLM3

XYD(芯一代)

MOSFET P-Channel -20V 45mΩ SOT-23-3L
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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WPM2080-3/TR

WILLSEMI(韦尔)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):4A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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