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P沟道 现货结果

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2301P

FM(富满)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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KO3401

KEXIN(科信)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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MMFTP84

DIOTEC(德欧泰克)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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SK2307A

SHIKUES(时科)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):16V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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AGM3P06E

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):2.5A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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AGM15P30E

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):15V · 连续漏极电流(Id):4.1A
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封装SOT-23-3 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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GT950P06L

GOFORD(谷峰)

类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-60V@@连续漏极电流(Id)：-5A@@阈值电压(Vgs(th))
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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RU20P7C-A

Ruichips(锐骏半导体)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):5A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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PJM05P60SC

PJSEMI(平晶微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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PJM2321PSA

PJSEMI(平晶微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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PJM3407PSC

PJSEMI(平晶微)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):4.6A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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PJM2333PSC

PJSEMI(平晶微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):12V
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SOT-23-3
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PJM09P20SC

PJSEMI(平晶微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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PJM07P30SC

PJSEMI(平晶微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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SI2333M-6AF

FOSAN(富捷/富信)

漏源电压(Vdss):15V · 连续漏极电流(Id):5.6A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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BRCS3401MCQ

BLUE ROCKET(蓝箭)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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SI2303M-6AF

FOSAN(富捷/富信)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):2.6A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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BRCS2305MCQ

BLUE ROCKET(蓝箭)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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PJM3401JPSC

PJSEMI(平晶微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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UT2301G-AE2-R

UTC(友顺)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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SI2309CDS-T1-GE3(ES)

ElecSuper(静芯)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):1.8A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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