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ROHM(罗姆) 现货结果

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SP8K1TB

ROHM(罗姆)

SP8K1TB
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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SP8K2TB

ROHM(罗姆)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SH8K1TB1

ROHM(罗姆)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):5A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SH8K2TB1

ROHM(罗姆)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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SH8K3TB1

ROHM(罗姆)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SH8K4TB1

ROHM(罗姆)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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SH8K5TB1

ROHM(罗姆)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SH8KA4TB

ROHM(罗姆)

数量:2个N沟道
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封装SOP-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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SH8M2TB1

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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封装SOP-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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SH8M4TB1

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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SH8M41TB1

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):80V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SH8J66TB1

ROHM(罗姆)

数量:2个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SH8MA3TB1

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SH8J65TB1

ROHM(罗姆)

数量:2个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SH8K32TB1

ROHM(罗姆)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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SH8KB7TB1

ROHM(罗姆)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SH8MB5TB1

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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封装SOP-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SH8MC5TB1

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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封装SOP-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SH8JC5TB1

ROHM(罗姆)

数量:2个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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封装SOP-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SH8KC6TB1

ROHM(罗姆)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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封装SOP-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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SH8MA4TB1

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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SP8K80TB1

ROHM(罗姆)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):500V
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封装SOP-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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SH8JB5TB1

ROHM(罗姆)

数量:2个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装SOP-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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SH8J62TB1

ROHM(罗姆)

数量:2个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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