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TI(德州仪器)PicoStar-3
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CSD13380F3
TI(德州仪器)
CSD13380F3，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PicoStar-3封装，询盘确认库存，CSD13380F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD13380F3T
TI(德州仪器)
CSD13380F3T，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PicoStar-3封装，询盘确认库存，CSD13380F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD13381F4T
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CSD13381F4T，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PicoStar-3封装，询盘确认库存，CSD13381F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、180mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD13383F4T
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CSD13383F4T，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PicoStar-3封装，询盘确认库存，CSD13383F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、44mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD13385F5
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CSD13385F5，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PicoStar-3封装，询盘确认库存，CSD13385F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD13385F5T，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PicoStar-3封装，询盘确认库存，CSD13385F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD15380F3T
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CSD15380F3T，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PicoStar-3封装，询盘确认库存，CSD15380F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、1460mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD17381F4
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CSD17381F4，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PicoStar-3封装，询盘确认库存，CSD17381F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、117mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD17381F4T
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CSD17381F4T，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PicoStar-3封装，询盘确认库存，CSD17381F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、117mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD17382F4
TI(德州仪器)
CSD17382F4，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PicoStar-3封装，询盘确认库存，CSD17382F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、67mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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TI(德州仪器)
CSD17382F4T，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PicoStar-3封装，询盘确认库存，CSD17382F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、67mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD17483F4
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CSD17483F4，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PicoStar-3封装，询盘确认库存，CSD17483F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、260mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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TI(德州仪器)
CSD17483F4T，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PicoStar-3封装，询盘确认库存，CSD17483F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、260mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD17484F4
TI(德州仪器)
CSD17484F4，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PicoStar-3封装，询盘确认库存，CSD17484F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、128mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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TI(德州仪器)
CSD17484F4T，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PicoStar-3封装，询盘确认库存，CSD17484F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、128mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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TI(德州仪器)
CSD17585F5，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PicoStar-3封装，询盘确认库存，CSD17585F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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TI(德州仪器)
CSD17585F5T，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PicoStar-3封装，询盘确认库存，CSD17585F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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TI(德州仪器)
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CSD23280F3
TI(德州仪器)
CSD23280F3，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PicoStar-3封装，询盘确认库存，CSD23280F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、116mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD23280F3T
TI(德州仪器)
CSD23280F3T，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PicoStar-3封装，询盘确认库存，CSD23280F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、116mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD23285F5
TI(德州仪器)
CSD23285F5，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PicoStar-3封装，询盘确认库存，CSD23285F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD23285F5T
TI(德州仪器)
CSD23285F5T，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PicoStar-3封装，询盘确认库存，CSD23285F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD23381F4，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PicoStar-3封装，询盘确认库存，CSD23381F4 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、175mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD23381F4T
TI(德州仪器)
CSD23381F4T，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PicoStar-3封装，询盘确认库存，CSD23381F4 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、175mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MOSFET 现货采购说明
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