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P沟道 现货结果

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7409

TF(拓锋)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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TF7409

TF(拓锋)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):32A
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MU3015Y

MP(美禄科技)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):130A
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CEZ3P08

CET(华瑞)

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VS3508AP

Vergiga(威兆)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):50A
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TW15P06CC

TWGMC(迪嘉)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):15A
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TW30P02CC

TWGMC(迪嘉)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):30A
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AGM40P25A

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):19A
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AP40P03DF

APM(永源微电子)

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ME7839S-G

MATSUKI(松木)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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RU20P17M2

Ruichips(锐骏半导体)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):15A
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TW110P03EF

TWGMC(迪嘉)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):110A
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2KJ7103DFN

KEXIN(科信)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AGM85P10AP

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):19A
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AGM150P10AP

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):16A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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WSD50P10DN56

WINSOK(微硕)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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