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7506

TF(拓锋)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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TF3622

TF(拓锋)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):25A
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PK632BA

NIKO-SEM(尼克森)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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MS0008Y

MP(美禄科技)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):79A
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MD4001X

MP(美禄科技)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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MS3005X

MP(美禄科技)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):30A
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MS4004Y

MP(美禄科技)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):120A
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MS0001Y

MP(美禄科技)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):109A
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MD3001X

MP(美禄科技)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AGM204A

AGMSEMI(芯控源)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):100A
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PK616BA

NIKO-SEM(尼克森)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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FH1610G

鑫飞宏

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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FH1810G

鑫飞宏

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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MS0006Y

MP(美禄科技)

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：140A 导通电阻(RDS(on)@Vg
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MS0007Y

MP(美禄科技)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):83A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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MU3007Y

MP(美禄科技)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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PE616BA

NIKO-SEM(尼克森)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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VS4610AE

Vergiga(威兆)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):55A
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VS6604GP

Vergiga(威兆)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):120A
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VS3698AP

Vergiga(威兆)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):105A
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VS4020AP

Vergiga(威兆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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RCQ3310D

RealChip(正芯半导体)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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TW3419CC

TWGMC(迪嘉)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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VS3610AP

Vergiga(威兆)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):70A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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