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306D

HL(富海微)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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4886D

HL(富海微)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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30G20F

HL(富海微)

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30G20D

HL(富海微)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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FH1906GS

鑫飞宏

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):90A
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AON7544-GK

GOODWORK(固得沃克)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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MGC068N10N

Megain(美佳音)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):90A
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JMSL0302AU

JJW(捷捷微)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):145A
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E040P013HL1

Existar(毅芯达)

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E100N4P0HL1

Existar(毅芯达)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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E030N8P0KL1

Existar(毅芯达)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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E060P032HL1

Existar(毅芯达)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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E100N7P2HH1

Existar(毅芯达)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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JMSL0302AU-13

JJW(捷捷微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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VSE002N03MS-G

Vergiga(威兆)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):155A
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ASDM100R045NQ-R

ASDsemi(安森德)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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TSM080N03EPQ56RLG

Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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