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场效应管(MOSFET) 现货库存

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场效应管(MOSFET) 现货结果

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306D

HL(富海微)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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7409

TF(拓锋)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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7506

TF(拓锋)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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4886D

HL(富海微)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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40N06D

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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20N06D

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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S4866D

HL(富海微)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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RC3633

RealChip(正芯半导体)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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30G20F

HL(富海微)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SM5501

HICHON(海川)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):50A
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30G20D

HL(富海微)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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20P02D

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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S4896D

HL(富海微)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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TF6406

TF(拓锋)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):140A
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TF7404

TF(拓锋)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):40A
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TF7409

TF(拓锋)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):32A
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TF3622

TF(拓锋)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):25A
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AON6508

AOS

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AON6240

AOS

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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PK632BA

NIKO-SEM(尼克森)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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AGM405Q

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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PKC26BB

NIKO-SEM(尼克森)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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PTQ3060

HT(金誉)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):60A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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PTQ6002

HT(金誉)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):60A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装PDFN-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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