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场效应管(MOSFET) 现货库存

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3419

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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50N03D

HL(富海微)

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20N03D

HL(富海微)

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30N03D

HL(富海微)

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S40N06D

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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AGM308A

AGMSEMI(芯控源)

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PE537BA

NIKO-SEM(尼克森)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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RU30C30M

Ruichips(锐骏半导体)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):30A
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SL49N10G

Slkor(萨科微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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SL68N08G

Slkor(萨科微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):80V
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SL87N10Q

Slkor(萨科微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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AGM40P35A

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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SL250N04Q

Slkor(萨科微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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VS3622DP2

Vergiga(威兆)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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SFS06R03GF

ORIENTAL SEMI(东微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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SFG10S10GF

ORIENTAL SEMI(东微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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SFS06R02GF

ORIENTAL SEMI(东微)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):200A
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AGM403A1-KU

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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