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封装：DPAK
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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
MCC(美微科)
封装/规格：
DPAK
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结果货架 当前页 24 行 / 共 43 个 搜索：MCU / 封装：DPAK
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

MCU12P06-TP

MCC(美微科)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DPAK
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MCU12P10-TP

MCC(美微科)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DPAK
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MCU20N10-TP

MCC(美微科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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DPAK
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MCU25P06-TP

MCC(美微科)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):25A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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MCU30N02-TP

MCC(美微科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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MCU45P04-TP

MCC(美微科)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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MCU60N02-TP

MCC(美微科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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MCU60N04-TP

MCC(美微科)

MCU60N04-TP
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MCU60P04-TP

MCC(美微科)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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MCU60P06-TP

MCC(美微科)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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MCU80N03-TP

MCC(美微科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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MCU80N06-TP

MCC(美微科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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MCU90N02-TP

MCC(美微科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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MCU05N60A-TP

MCC(美微科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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MCU60N04A-TP

MCC(美微科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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MCU15N10A-TP

MCC(美微科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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MCU01N60A-TP

MCC(美微科)

漏源电压(Vdss):600V · 连续漏极电流(Id):1.3A
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MCU05N20A-TP

MCC(美微科)

漏源电压(Vdss):200V · 连续漏极电流(Id):5A
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MCU120N04-TP

MCC(美微科)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):120A
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MCU12P06Y-TP

MCC(美微科)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):12A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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MCU15N10B-TP

MCC(美微科)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):15A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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MCU20N06A-TP

MCC(美微科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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MCU20N06B-TP

MCC(美微科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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MCU20N10A-TP

MCC(美微科)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):20A
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