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TPD4135K(Q,M)

TOSHIBA(东芝)

驱动类型:三相 · 集成FET:是
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电机驱动芯片 / 无刷直流(BLDC)电机驱动芯片
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TPD4134K(Q,M)

TOSHIBA(东芝)

TPD4134K(Q · M)
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电机驱动芯片 / 无刷直流(BLDC)电机驱动芯片
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STGIPN3H60

ST(意法半导体)

SLLIMM-nano小型低损耗智能模块IPM · 3 A、600 V 3相IGBT逆变器桥
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三极管/MOS管/晶体管 / 智能功率模块(IPM)
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FNA41560B5

onsemi(安森美)

FNA41560B5
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FNB40560B2

onsemi(安森美)

类型:IGBT · 隔离电压(Vrms):2000Vrms
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三极管/MOS管/晶体管 / 智能功率模块(IPM)
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STIPN1M50-H

ST(意法半导体)

类型:MOSFET · 漏源电压(Vdss):500V
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NFA41560R42

onsemi(安森美)

NFA41560R42
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NFA42060R42

onsemi(安森美)

NFA42060R42
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STIPN2M50-H

ST(意法半导体)

类型:MOSFET · 隔离电压(Vrms):1000Vrms
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STGIPN3H60AT

ST(意法半导体)

类型:IGBT · 漏源电压(Vdss):600V
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STIPN1M50T-H

ST(意法半导体)

类型:MOSFET · 隔离电压(Vrms):1000Vrms
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三极管/MOS管/晶体管 / 智能功率模块(IPM)
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STIPN2M50T-H

ST(意法半导体)

类型:MOSFET · 隔离电压(Vrms):1000Vrms
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TPD4144K,Q(M

TOSHIBA(东芝)

TPD4144K · Q(M
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电机驱动芯片 / 无刷直流(BLDC)电机驱动芯片
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STGIPN3H60T-H

ST(意法半导体)

类型:IGBT · 隔离电压(Vrms):1000Vrms
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三极管/MOS管/晶体管 / 智能功率模块(IPM)
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STGIF5CH60TS-L

ST(意法半导体)

类型:IGBT · 漏源电压(Vdss):600V
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STGIB20M60TS-L

ST(意法半导体)

SLLIMM第2系列IPM · 3相逆变器
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三极管/MOS管/晶体管 / 智能功率模块(IPM)
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STGIPQ4C60T-HZ

ST(意法半导体)

类型:IGBT · 隔离电压(Vrms):1500Vrms
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三极管/MOS管/晶体管 / 智能功率模块(IPM)
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STGIPQ3H60T-HZS

ST(意法半导体)

类型:IGBT · 隔离电压(Vrms):1500Vrms
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三极管/MOS管/晶体管 / 智能功率模块(IPM)
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NXH25C120L2C2SG

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):1.2kV · 集电极电流(Ic):25A
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
DIP-26
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STGIB10CH60TS-X

ST(意法半导体)

类型:IGBT · 隔离电压(Vrms):1500Vrms
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三极管/MOS管/晶体管 / 智能功率模块(IPM)
DIP-26
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STGIB15CH60TS-X

ST(意法半导体)

类型:IGBT · 隔离电压(Vrms):1500Vrms
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三极管/MOS管/晶体管 / 智能功率模块(IPM)
DIP-26
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STGIB10CH60TS-LZ

ST(意法半导体)

类型:IGBT · 漏源电压(Vdss):600V
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三极管/MOS管/晶体管 / 智能功率模块(IPM)
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NXH35C120L2C2ESG

onsemi(安森美)

NXH35C120L2C2ESG
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封装DIP-26 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
DIP-26
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NXH50C120L2C2ESG

onsemi(安森美)

NXH50C120L2C2ESG
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封装DIP-26 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
DIP-26
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