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AON740 现货结果

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封装:DFN-8L
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AON7404-MS

MSKSEMI(美森科)

此款AON7404-MS场效应管:20V · 45A适配低电压大电流开关场景
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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AON7406-MS

MSKSEMI(美森科)

此款AON7406-MS场效应管 · 它具有以下主要参数:最大漏极电流ID为20A
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AON7403-MS

MSKSEMI(美森科)

此款AON7403-MS高性能P沟道MOSFET · 采用 DFN3X3-8L 小型封装
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AON7408-MS

MSKSEMI(美森科)

此款AON7408-MS场效应管为N沟道 · 采用DFN3X3-8L小型化封装
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AON7409-MS

MSKSEMI(美森科)

此款AON7409-MS是一款选用DFN5X6-8L封装的高端P沟道MOSFET · 旨在实现高效能与紧凑设
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AON7400A-MS

MSKSEMI(美森科)

此款AON7400A-MS选用DFN3X3-8L紧凑型封装 · 兼具高效散热与小巧体积优势
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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AON7403(XBLW)

XBLW(芯伯乐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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DFN-8L
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AON7401(XBLW)

XBLW(芯伯乐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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AON7400A(XBLW)

XBLW(芯伯乐)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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