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三极管 现货库存

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三极管 现货结果

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G66

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):16V · 连续漏极电流(Id):5.8A
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封装DFN-6L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-6L
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RC3017

RealChip(正芯半导体)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SL1216A

Slkor(萨科微)

漏源电压(Vdss):12V · 连续漏极电流(Id):16A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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PTM3010

HT(金誉)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):10A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SDI2085

SHIKUES(时科)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):15V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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CJM1216

CJ(江苏长电/长晶)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):12V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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G7P03D2

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):7A
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HY0C20C

HUAYI(华羿微)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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NCE1205

NCE(无锡新洁能)

漏源电压(Vdss):12V · 连续漏极电流(Id):5A
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HSCB2016

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HSCB0012

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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HSCB6014

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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FH8808G2

鑫飞宏

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):9.5A
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HSCB1216

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):12V
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PNMT6N1B

Prisemi(芯导)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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HSCB3103

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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HSCB1214

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):12V
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VS3640AA

Vergiga(威兆)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):10A
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YJQ3415A

YANGJIE(扬杰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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FH1208G4

鑫飞宏

漏源电压(Vdss):16V · 连续漏极电流(Id):16A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HSCB2307

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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NCE3013J

NCE(无锡新洁能)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-6L
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SRMP2011

SALLTECH(萨瑞)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):11A
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DFN-6L
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HSCB2004A

HUASHUO(华朔)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):5A
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封装DFN-6L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-6L
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