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搜索：DC-DC / 封装：DFN-3
搜索：DC-DC封装：DFN-3
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类目
品牌
封装 / 规格
DIODES(美台)DFN-3
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价
DXTN58100CFDB-7
DIODES(美台)
DXTN58100CFDB-7，DIODES(美台)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，DFN-3封装，询盘确认库存，特性：BVCEO > 100V。 hFE指定高达4A，以保持高电流增益。 低轮廓0.6mm高封装，适用于薄型应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 本产品符合JEDEC标准，具有高可靠性。应用：DC三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
DFN-3
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DXTN5840CFDB-7
DIODES(美台)
DXTN5840CFDB-7，DIODES(美台)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，DFN-3封装，询盘确认库存，特性：BVCEO > 40V。 hFE指定高达3A以保持高电流增益。 低轮廓0.6mm高封装，适用于薄型应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该部件符合JEDEC标准，具有高可靠性。应用：DC-DC三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
DFN-3
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DXTP5820CFDB-7
DIODES(美台)
DXTP5820CFDB-7，DIODES(美台)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，DFN-3封装，询盘确认库存，特性：- BVCEO >-20V。hFE 规定高达-6A，以保持高电流增益。低外形，0.6mm 高封装，适用于薄型应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合 JEDEC 标准，具有高可靠性。应用三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
DFN-3
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DXTP5840CFDB-7
DIODES(美台)
DXTP5840CFDB-7，DIODES(美台)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，DFN-3封装，询盘确认库存，特性：BVCEO > -40V。 hFE指定高达 -3A，以保持高电流增益。 低轮廓0.6mm高封装，适用于薄型应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合JEDEC标准，具有高可靠性。应用：DC-D三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
DFN-3
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ZXTN26020DMFTA
DIODES(美台)
ZXTN26020DMFTA，DIODES(美台)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，DFN-3封装，询盘确认库存，特性：高增益低饱和压降NPN晶体管。 极低的集电极发射极饱和电阻。 高脉冲峰值电流能力。 连续集电极电流额定值为1.5A。 超小表面贴装封装。 符合AEC-Q101标准，可靠性高。应用：MOSFET和IGBT栅极驱动。 DC-DC三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
DFN-3
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ZXTN617MATA
DIODES(美台)
ZXTN617MATA，DIODES(美台)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，DFN-3封装，询盘确认库存，特性：BVCEO > 15V。 IC = 4.5A 连续集电极电流。 低饱和电压（1A 时最大 100mV）。 RSAT = 45mΩ，等效导通电阻低。 hEE 在高达 12A 时仍有高电流增益。 低外形 0.6mm 高封装，适用于薄型三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
DFN-3
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ZXTN618MATA
DIODES(美台)
ZXTN618MATA，DIODES(美台)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，DFN-3封装，询盘确认库存，特性：BVCEO > 20V。 IC = 4.5A 连续集电极电流。 低饱和电压（1A 时最大 150mV）。 RSAT = 47mΩ，低等效导通电阻。 hFE 高达 6A 时指定，高电流增益保持。 低外形，高度 0.0mm，适用于薄型三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
DFN-3
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ZXTN619MATA
DIODES(美台)
ZXTN619MATA，DIODES(美台)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，DFN-3封装，询盘确认库存，特性：BVCEO > 50V。 IC = 4A 连续集电极电流。 低饱和电压（1A 时最大 100mV）。 RSAT = 68mΩ，低等效导通电阻。 HFE 规定至 6A，高电流增益保持。 低外形 0.6mm 高封装，适用于薄型应用。应三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
DFN-3
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ZXTP717MATA
DIODES(美台)
ZXTP717MATA，DIODES(美台)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，DFN-3封装，询盘确认库存，特性：BVCEO > -12V。 IC = -4A 连续集电极电流。 低饱和电压（-140mV 最大值 @ -1A）。 RSAT = 60mΩ，低等效导通电阻。 hFE 指定高达 -10A，高电流增益保持。 低外形 0.6mm 高封装，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
DFN-3
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ZXTP720MATA
DIODES(美台)
ZXTP720MATA，DIODES(美台)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，DFN-3封装，询盘确认库存，特性：BVCEO >-40V。 IC =-3A 连续集电极电流。 低饱和电压（- 220mV 最大 @-1A）。 RSAT = 104mΩ，低等效导通电阻。 hFE 指定至-3A，高电流增益保持。 低轮廓 0.6mm 高封装，适用于薄型三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
DFN-3
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PROCUREMENT CONTEXT
DC-DC 现货采购说明
本页展示可公开查询的电子元器件现货和资料库候选。采购人员可先核对品牌、封装、数量和资料入口，再统一提交 BOM 询价。
10匹配型号
1高频品牌
1封装规格
DC-DC 可以直接下单吗？
页面展示的是华芯购公开现货和可询型号。现货型号可先暂存、对比或加入 BOM，最终数量、批号、包装、交期和报价由业务人员确认后执行。
搜索到 10 个匹配型号后，怎样更快筛选？
建议继续按品牌、封装、类目和参数筛选；也可以保存筛选链接，后续回到会员中心或首页采购台继续核对。
没有完全匹配 DC-DC 时怎么办？
可以提交 BOM 或寻料需求，业务会按资料库候选、替代料、渠道库存和现货库存继续确认。
当前页型号能批量询价吗？
可以。当前页可将 DXTN58100CFDB-7、DXTN5840CFDB-7、DXTP5820CFDB-7、DXTP5840CFDB-7 等型号加入 BOM 或采购暂存，集中确认数量与交期。