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BMDFN2301

BORN(伯恩半导体)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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封装DFN-1006-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-1006-3L
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H5VU13U

R+O(宏嘉诚)

极性:单向 · 反向截止电压(Vrwm):5V
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封装DFN-1006-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-3L
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BC846BD2

POPPULA(宝浦莱)

晶体管类型:NPN · 集电极电流(Ic):100mA
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封装DFN-1006-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
DFN-1006-3L
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DTA114D2

POPPULA(宝浦莱)

耗散功率(Pd):150mW · 晶体管类型:PNP
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封装DFN-1006-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
DFN-1006-3L
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KBA3134K

KUU

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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封装DFN-1006-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-1006-3L
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ESD0502U

Wild Goose(威谷)

极性:单向 · 反向截止电压(Vrwm):5V
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封装DFN-1006-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-3L
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2N7002KN

BORN(伯恩半导体)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):350mA
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-1006-3L
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SL3139KL

Slkor(萨科微)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):980mA
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-1006-3L
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WM02N08F

Wayon(上海维安)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):750mA
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-1006-3L
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SL3134KL

Slkor(萨科微)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):750mA
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-1006-3L
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HL3134KD

R+O(宏嘉诚)

HL3134KD
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-1006-3L
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HL7002KD

R+O(宏嘉诚)

HL7002KD
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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CJBA3144K

CJ(江苏长电/长晶)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):600mA
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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2N7002KNC

Siliup(矽普)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):340mA
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KY2004KNC

KY(韩景元)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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2N7002KD2

POPPULA(宝浦莱)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):340mA
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-1006-3L
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KY2002KNC

KY(韩景元)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):750mA
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-1006-3L
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KESD5302N

KUU

反向截止电压(Vrwm):5V · 钳位电压:15V
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封装DFN-1006-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-3L
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HL3139KDA

R+O(宏嘉诚)

HL3139KDA
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封装DFN-1006-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-1006-3L
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HL3134KDA

R+O(宏嘉诚)

HL3134KDA
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封装DFN-1006-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-1006-3L
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2N7002KN3

KUU

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):340mA
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封装DFN-1006-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-1006-3L
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MMBT3906NC

Siliup(矽普)

集电极电流(Ic):200mA · 集射极击穿电压(Vceo):40V
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封装DFN-1006-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
DFN-1006-3L
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MMBT3904NC

Siliup(矽普)

集电极电流(Ic):200mA · 集射极击穿电压(Vceo):40V
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封装DFN-1006-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
DFN-1006-3L
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MMBT3904LP

TECH PUBLIC(台舟)

集电极电流(Ic):100mA · 集射极击穿电压(Vceo):50V
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封装DFN-1006-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
DFN-1006-3L
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