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DFN-5 现货结果

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AOE6930

AOS

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):22A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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CEZ3R03

CET(华瑞)

N沟道 · 30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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RUH4040M

Ruichips(锐骏半导体)

N-MOS管 40V 40A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SE40160G

SINO-IC(光宇睿芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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SE40200G

SINO-IC(光宇睿芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SWHA7N65D

Samwin(芯派)

漏源电压(Vdss):650V · 连续漏极电流(Id):7A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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NCEP4085EG

NCE(无锡新洁能)

NCEP4085EG
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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CRTM105N06L

CRMICRO(华润微)

CRTM105N06L
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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CRSM060N06L2

CRMICRO(华润微)

CRSM060N06L2
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SWHA065R03VLT

Samwin(芯派)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):58A
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MCAC53N06Y-TP

MCC(美微科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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SWHA056R68E7T

Samwin(芯派)

漏源电压(Vdss):68V · 连续漏极电流(Id):100A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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MCAC80N06Y-TP

MCC(美微科)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):80A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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WSD60N12GDN56

WINSOK(微硕)

漏源电压(Vdss):120V · 连续漏极电流(Id):70A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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LN7310DT1WG-HW

LRC(乐山无线电)

LN7310DT1WG-HW
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN
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