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QFN-20-EP 射频芯片/天线 > 射频开关 现货库存

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QFN-20-EP 射频芯片/天线 > 射频开关 现货结果

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结果货架 当前页 18 行 / 共 18 个 封装：QFN-20-EP / 类目：射频芯片/天线 > 射频开关
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4256-52

pSemi(游隼半导体)

5MHz-3GHzUltraCMOS射频开关 · 适用于CATV应用
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射频芯片/天线 / 射频开关
QFN-20-EP
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FM1660

FM(富满)

电路结构:单刀十掷 · 频率:100MHz~3.8GHz
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FM86C0

FM(富满)

电路结构:单刀十二掷 · 频率:100MHz~3GHz
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LX1660

LingChip(灵芯微)

电路结构:单刀十掷 · 频率:100MHz~3.8GHz
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LX1660LE

LingChip(灵芯微)

频率:100MHz~3.8GHz · 隔离度:20dB
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LX86C0

LingChip(灵芯微)

频率:100MHz~3GHz · 隔离度:38dB
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MXD85A0F

Maxscend(卓胜微)

MXD85A0F是一款低损耗、高隔离度的SP10T射频开关 · 适用于天线TRX应用
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MXD86A0S

Maxscend(卓胜微)

MXD86A0S是一款低损耗、高隔离度的SP10T射频开关 · 适用于天线分集接收
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MXD86C0S

Maxscend(卓胜微)

电路结构:单刀十二掷 · 频率:700MHz~3GHz
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PE42020A

pSemi(游隼半导体)

插入损耗:1.35dB · 工作电压:11V~17V
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PE42020A-X

pSemi(游隼半导体)

频率:0Hz~8GHz · 隔离度:34dB
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PE4256MLIAA-Z

pSemi(游隼半导体)

频率:5MHz~3GHz · 隔离度:65dB
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PE4257-51

pSemi(游隼半导体)

隔离度:64dB · 插入损耗:0.75dB
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PE42742MLIBB-Z

pSemi(游隼半导体)

频率:5MHz~2.2GHz · 隔离度:63dB
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PE4280MLIAA-Z

pSemi(游隼半导体)

频率:5MHz~2.2GHz · 隔离度:47dB
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QFN-20-EP
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QPC6324SR

Qorvo

电路结构:单刀双掷 · 频率:5MHz~6GHz
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QFN-20-EP
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RFASWE660DTF03

Walsin(华新科)

隔离度:26dB · 插入损耗:0.75dB
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QFN-20-EP
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SKY12241-492LF

SKYWORKS

SKY12241-492LF
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射频芯片/天线 / 射频开关
QFN-20-EP
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