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TSOPI-48 存储器 > NAND FLASH 现货库存

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TSOPI-48 存储器 > NAND FLASH 现货结果

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封装:TSOPI-48类目:存储器 > NAND FLASH
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结果货架 当前页 24 行 / 共 159 个 封装:TSOPI-48 / 类目:存储器 > NAND FLASH
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E

micron(镁光)

存储容量:1Gbit · 工作电压:2.7V~3.6V
状态现货可下单批号批号 18+,23+,22+,21+起订按需交期核对后发
封装TSOPI-48 可供数量25,503 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / NAND闪存
TSOPI-48
25,503
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GD9AU2G8F2AMGI

GigaDevice(兆易创新)

存储容量:2Gbit · 工作电压:2.7V~3.6V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TSOPI-48 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / NAND闪存
TSOPI-48
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GD9AU8G8E3AMGI

GigaDevice(兆易创新)

存储容量:1Gbit · 工作电压:2.7V~3.6V
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封装TSOPI-48 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / NAND闪存
TSOPI-48
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GD9FU1G8F2AMGI

GigaDevice(兆易创新)

存储容量:1Gbit · 工作电压:2.7V~3.6V
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存储器 / NAND闪存
TSOPI-48
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IMS1G083ZZM1S-WP

ICMAX(宏旺)

存储容量:1Gbit · 时钟频率(fc):20MHz
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封装TSOPI-48 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / NAND闪存
TSOPI-48
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IMS2G083ZZC1S-WP

ICMAX(宏旺)

存储容量:2Gbit · 工作电压:2.7V~3.6V
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封装TSOPI-48 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / NAND闪存
TSOPI-48
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IS34ML01G081-TLI

ISSI(美国芯成)

工作电压:2.7V~3.6V · 写周期时间(Tw):25ns
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存储器 / NAND闪存
TSOPI-48
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IS34ML01G081-TLI-TR

ISSI(美国芯成)

工作电压:2.7V~3.6V · 页写入时间(Tpp):400us
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封装TSOPI-48 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / NAND闪存
TSOPI-48
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IS34ML01G084-TLI-TR

ISSI(美国芯成)

工作电压:2.7V~3.6V · 页写入时间(Tpp):300us
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TSOPI-48 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / NAND闪存
TSOPI-48
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IS34ML02G084-TLI

ISSI(美国芯成)

存储容量:2Gbit · 接口类型:SPI
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存储器 / NAND闪存
TSOPI-48
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IS34ML02G084-TLI-TR

ISSI(美国芯成)

工作电压:2.7V~3.6V · 页写入时间(Tpp):300us
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存储器 / NAND闪存
TSOPI-48
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IS34ML04G081-TLI-TR

ISSI(美国芯成)

工作电压:2.7V~3.6V · 页写入时间(Tpp):400us
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存储器 / NAND闪存
TSOPI-48
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IS34ML04G084-TLI

ISSI(美国芯成)

存储容量:4Gbit · 工作电压:2.7V~3.6V
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存储器 / NAND闪存
TSOPI-48
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IS34ML04G084-TLI-TR

ISSI(美国芯成)

工作电压:2.7V~3.6V · 页写入时间(Tpp):300us
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存储器 / NAND闪存
TSOPI-48
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IS34MW02G084-TLI

ISSI(美国芯成)

工作电压:1.7V~1.95V · 写周期时间(Tw):45ns
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存储器 / NAND闪存
TSOPI-48
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IS34MW02G084-TLI-TR

ISSI(美国芯成)

工作电压:1.7V~1.95V · 页写入时间(Tpp):300us
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存储器 / NAND闪存
TSOPI-48
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IS34MW04G084-TLI

ISSI(美国芯成)

工作电压:1.7V~1.95V · 写周期时间(Tw):45ns
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TSOPI-48 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / NAND闪存
TSOPI-48
询盘确认
询盘报价

IS34MW04G084-TLI-TR

ISSI(美国芯成)

工作电压:1.7V~1.95V · 页写入时间(Tpp):300us
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存储器 / NAND闪存
TSOPI-48
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K9F1G08UOC-PCBO

SAMSUNG(三星半导体)

1-Gbit(128M x 8bit) · 工作电压:3.3V
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存储器 / NAND闪存
TSOPI-48
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K9GBG08U0A-SCBO

SAMSUNG(三星半导体)

32Gbit · 工作电压:2.7V to 3.6V
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存储器 / NAND闪存
TSOPI-48
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MKPV1G08CT-AF

MK(米客方德)

存储容量:1Gbit · 时钟频率(fc):20MHz
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封装TSOPI-48 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / NAND闪存
TSOPI-48
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MKPV4G08CT-AF

MK(米客方德)

存储容量:4Gbit · 时钟频率(fc):20MHz
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封装TSOPI-48 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / NAND闪存
TSOPI-48
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MT29F128G08AJAAAWP-IT:A

micron(镁光)

MT29F128G08AJAAAWP-IT:A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TSOPI-48 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / NAND闪存
TSOPI-48
询盘确认
询盘报价

MT29F128G08AJAAAWP-IT:ATR

micron(镁光)

MT29F128G08AJAAAWP-IT:A TR
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TSOPI-48 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / NAND闪存
TSOPI-48
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