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K3QF6F60AM-FGCF

SAMSUNG(三星半导体)

存储容量:12Gbit · 工作电压:1.14V~1.3V
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封装FBGA-256 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / DDR内存
FBGA-256
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