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BGA 存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM) 现货库存

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BGA 存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM) 现货结果

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封装:BGA类目:存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
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结果货架 当前页 20 行 / 共 20 个 封装:BGA / 类目:存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

H5AN8G6NDJR-XNC

HYNIX(海力士)

H5AN8G6NDJR-XNC
状态现货可下单批号批号 24+起订按需交期核对后发
封装BGA 可供数量5,413 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
5,413
询盘报价
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H5ANAG6NCJR-XNC

HYNIX(海力士)

存储容量:16Gbit · 工作电压:1.14V~1.26V
状态现货可下单批号批号 23+,25+,24+起订按需交期核对后发
封装BGA 可供数量1,781 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
1,781
询盘报价
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H9HCNNNCPMMLXR-NEE

HYNIX(海力士)

H9HCNNNCPMMLXR-NEE
状态现货可下单批号批号 25+起订按需交期核对后发
封装BGA 可供数量6,000 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
6,000
询盘报价
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K3KL8L80CM-MGCT

SAMSUNG(三星半导体)

K3KL8L80CM-MGCT
状态现货可下单批号批号 25+起订按需交期核对后发
封装BGA-315 可供数量11,000 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA-315
11,000
询盘报价
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K4A4G085WF-BCTD

SAMSUNG(三星半导体)

K4A4G085WF-BCTD
状态现货可下单批号批号 22+,2143起订按需交期核对后发
封装BGA 可供数量2,444 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
2,444
询盘报价
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K4A4G165WE-BCTD

SAMSUNG(三星半导体)

K4A4G165WE-BCTD
状态现货可下单批号批号 20+起订按需交期核对后发
封装BGA 可供数量3,360 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
3,360
询盘报价
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K4AAG165WA-BITD

SAMSUNG(三星半导体)

K4AAG165WA-BITD
状态现货可下单批号批号 24+起订按需交期核对后发
封装BGA 可供数量18,000 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
18,000
询盘报价
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K4ABG085WA-MCTD

SAMSUNG(三星半导体)

K4ABG085WA-MCTD
状态现货可下单批号批号 22+起订按需交期核对后发
封装BGA 可供数量2,300 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
2,300
询盘报价
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K4B2G1646F-BFMA

SAMSUNG(三星半导体)

K4B2G1646F-BFMA
状态现货可下单批号批号 24+起订按需交期核对后发
封装BGA 可供数量22,400 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
22,400
询盘报价
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K4B2G1646F-BMMA

SAMSUNG(三星半导体)

存储容量:2Gbit · 工作电压:1.35V
状态现货可下单批号批号 2134+起订按需交期核对后发
封装BGA 可供数量6,000 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
6,000
询盘报价
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K4B4G0846E-BMMA

SAMSUNG(三星半导体)

K4B4G0846E-BMMA
状态现货可下单批号批号 22+起订按需交期核对后发
封装BGA 可供数量1,510 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
1,510
询盘报价
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K4E6E304EB-EGCF

SAMSUNG(三星半导体)

K4E6E304EB-EGCF
状态现货可下单批号批号 20+21+起订按需交期核对后发
封装BGA 可供数量3,360 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
3,360
询盘报价
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K4F4E3S4HF-GHCJ

SAMSUNG(三星半导体)

K4F4E3S4HF-GHCJ
状态现货可下单批号批号 25+,22+起订按需交期核对后发
封装BGA 可供数量4,000 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
4,000
询盘报价
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K4F6E3D4HB-MFCJ

SAMSUNG(三星半导体)

K4F6E3D4HB-MFCJ
状态现货可下单批号批号 18+起订按需交期核对后发
封装BGA 可供数量657 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
657
询盘报价
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K4F6E3S4HM-THCL

SAMSUNG(三星半导体)

K4F6E3S4HM-THCL
状态现货可下单批号批号 22+25+,25+起订按需交期核对后发
封装FBGA 可供数量12,005 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA
12,005
询盘报价
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K4F8E3S4HD-GHCL

SAMSUNG(三星半导体)

K4F8E3S4HD-GHCL
状态现货可下单批号批号 25+,22+起订按需交期核对后发
封装BGA 可供数量4,800 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
4,800
询盘报价
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K4Z80325BC-HC16

SAMSUNG(三星半导体)

K4Z80325BC-HC16
状态现货可下单批号批号 24+,22+起订按需交期核对后发
封装BGA 可供数量12,080 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
12,080
询盘报价
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MT40A512M16TB-062E:J

micron(镁光)

MT40A512M16TB-062E:J
状态现货可下单批号批号 21+,21+22+起订按需交期核对后发
封装FBGA-96 可供数量14,600 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-96
14,600
询盘报价
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MT40A1G8WE-083EIT:B

micron(镁光)

MT40A1G8WE-083E IT:B
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装BGA 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
询盘确认
询盘报价

MT46V32M16CY-5B:J

micron(镁光)

MT46V32M16CY-5B:J
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装BGA 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / 动态随机存取存储器(DRAM)
BGA
询盘确认
询盘报价