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TO-247-2L 二极管 > 碳化硅二极管 现货库存

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TO-247-2L 二极管 > 碳化硅二极管 现货结果

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类目：
碳化硅二极管
品牌：
HXY MOSFET(华轩阳电子)DDF(鼎德丰)BASiC(基本)
封装/规格：
TO-247-2L
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结果货架 当前页 24 行 / 共 99 个 封装：TO-247-2L / 类目：二极管 > 碳化硅二极管
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B1D20065H

BASiC(基本)

二极管配置:独立式 · 整流电流:62A
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二极管 / 碳化硅二极管
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C6D05170H-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式结构 · 额定正向电流（IF）为5A
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DDF3D10065H

DDF(鼎德丰)

整流电流IF(AV): 10A@TC=150℃ 反向电压VRRM： 650V 正向压降VF： 1.6V@10
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DDF3D10170H

DDF(鼎德丰)

整流电流IF(AV): 10A@TC=150℃ 反向电压VRRM： 1700V 正向压降VF： 1.7V@1
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DDF3D15065H

DDF(鼎德丰)

整流电流IF(AV): 15A@TC=150℃ 反向电压VRRM： 650V 正向压降VF： 1.8V@20
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DDF3D15120H

DDF(鼎德丰)

整流电流IF(AV): 15A@TC=150℃ 反向电压VRRM： 1200V 正向压降VF： 1.8V@1
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DDF3D20065H

DDF(鼎德丰)

整流电流IF(AV): 20A@TC=150℃ 反向电压VRRM： 650V 正向压降VF： 1.8V@10
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DDF3D30120H

DDF(鼎德丰)

整流电流IF(AV): 30A@TC=150℃ 反向电压VRRM： 1200V 正向压降VF： 1.8V@3
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FFSH1065B-F085-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

正向压降(Vf):1.5V@10A · 直流反向耐压(Vr):650V
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FFSH20120A-F085-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式单体结构 · 额定正向电流（IF）为20A
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FFSH2065A-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

正向压降(Vf):1.5V@20A · 直流反向耐压(Vr):650V
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FFSH2065B-F085-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件 · 具备20A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）
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FFSH40120A-F155-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为单体结构 · 额定正向电流（IF）为40A
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FFSH4065A-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件 · 具备40A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）
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FFSH50120A-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置 · 具备50A的正向电流（IF）和1200V的反向重复电压（VR）
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FFSH5065A-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置 · 具备50A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）
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二极管 / 碳化硅二极管
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FFSH5065B-F085-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管为独立式器件 · 具备50A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR）
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GP3D010A065B-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

正向压降(Vf):1.5V@10A · 直流反向耐压(Vr):650V
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HC1D100065H

HXY MOSFET(华轩阳电子)

整流电流:205A · 正向压降(Vf):1.3V@100A
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HC1D16065H

HXY MOSFET(华轩阳电子)

整流电流:49A · 正向压降(Vf):1.3V@16A
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HC3D10065H

HXY MOSFET(华轩阳电子)

正向压降(Vf):1.5V@10A · 直流反向耐压(Vr):650V
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二极管 / 碳化硅二极管
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HC3D10170H

HXY MOSFET(华轩阳电子)

二极管配置:独立式 · 整流电流:14.4A
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HC3D20065H

HXY MOSFET(华轩阳电子)

正向压降(Vf):1.5V@20A · 直流反向耐压(Vr):650V
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HC3D25170H

HXY MOSFET(华轩阳电子)

二极管配置:独立式 · 正向压降(Vf):1.4V@30A
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二极管 / 碳化硅二极管
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