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类目：
IGBT管/模块
品牌：
onsemi(安森美)ST(意法半导体)ROHM(罗姆)SANKEN(三垦)AOS
封装/规格：
TO-3PFTO-3PF-3TO-3PFM
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结果货架 当前页 24 行 / 共 31 个 搜索：TO-3PF / 类目：三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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FGM603

SANKEN(三垦)

FGM603
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TO-3PF
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FGM622S

SANKEN(三垦)

FGM622S
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FGM623S

SANKEN(三垦)

FGM623S
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STGW40V60F

ST(意法半导体)

集射极击穿电压(Vces):600V · 集电极电流(Ic):80A
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FGAF20S65AQ

onsemi(安森美)

FGAF20S65AQ
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FGAF30S65AQ

onsemi(安森美)

FGAF30S65AQ
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FGAF40S65AQ

onsemi(安森美)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
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TO-3PF-3
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STGFW30V60F

ST(意法半导体)

STGFW30V60F
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FGAF40N60SMD

onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术 · 为低导通和开关损耗至关
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STGFW20V60DF

ST(意法半导体)

600 V、20 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT
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FGAF20N60SMD

onsemi(安森美)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):600V
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SGF23N60UFTU

onsemi(安森美)

IGBT类型:PT(穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):600V
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STGFW40V60DF

ST(意法半导体)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):600V
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SGF5N150UFTU

onsemi(安森美)

停产 SGF5N150UFTU
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SGF80N60UFTU

onsemi(安森美)

SGF80N60UFTU
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TO-3PF-3
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STGFW30H65FB

ST(意法半导体)

STGFW30H65FB
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TO-3PF-3
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STGFW30V60DF

ST(意法半导体)

STGFW30V60DF
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TO-3PF
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AOGF60B65H2AL

AOS

AOGF60B65H2AL
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TO-3PF
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FGAF40N60UFTU

onsemi(安森美)

安森美半导体的 IGBT 具有低导通和开关损耗 · UF 系列设计适用于必须具备高速开关功能的应用
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TO-3PF-3
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FGAF40N60UFDTU

onsemi(安森美)

安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术 · 为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3PF-3
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RGTH80TK65GC11

ROHM(罗姆)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
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RGW60TK65GVC11

ROHM(罗姆)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
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TO-3PFM
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RGTH50TK65DGC11

ROHM(罗姆)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3PFM
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RGTH80TK65DGC11

ROHM(罗姆)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
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TO-3PFM
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