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TO-3P 三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块 现货库存

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TO-3P 三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块 现货结果

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封装：TO-3P类目：三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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结果货架 当前页 24 行 / 共 65 个 封装：TO-3P / 类目：三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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FGA40N65SMD

onsemi(安森美)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
状态现货可下单批号批号 21+,2148+起订按需交期核对后发
封装TO-3P 可供数量9,928 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3P
9,928
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FGA60N65SMD

onsemi(安森美)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
状态现货可下单批号批号 2150+起订按需交期核对后发
封装TO-3P 可供数量6,000 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3P
6,000
询盘报价
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FGA6560WDF

onsemi(安森美)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
状态现货可下单批号批号 22+起订按需交期核对后发
封装TO-3P 可供数量900 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3P
900
询盘报价
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CGPT40N65F2KBT

CJ(江苏长电/长晶)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-3P 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3P
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CRG15T120BNR3S

CRMICRO(华润微)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-3P 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3P
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FGA120N30DTU

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):300V · 集电极电流(Ic):120A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-3P 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3P
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FGA15N120ANTDTU

onsemi(安森美)

FGA15N120ANTDTU
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-3P 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3P
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FGA15N120FTDTU

onsemi(安森美)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-3P 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3P
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FGA180N30DTU

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):300V · 集电极电流(Ic):180A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-3P 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3P
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FGA180N33ATTU

onsemi(安森美)

FGA180N33ATTU
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-3P 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3P
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FGA20S120M

onsemi(安森美)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3P
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FGA40N60UFDTU

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):600V · 集电极电流(Ic):40A
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FGA50N100BNTTU

onsemi(安森美)

IGBT类型:NPT(非穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):1kV
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TO-3P
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FGA90N30DTU

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):300V · 集电极电流(Ic):90A
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TO-3P
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FGA90N30TU

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):300V · 集电极电流(Ic):90A
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3P
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GT30J121(Q)

TOSHIBA(东芝)

集射极击穿电压(Vces):600V · 集电极电流(Ic):30A
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3P
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GT30J65MRB,S1E

TOSHIBA(东芝)

GT30J65MRB · S1E
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TO-3P
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GT50JR22

TOSHIBA(东芝)

GT50JR22
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TO-3P
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IXXQ30N60B3M

Littelfuse/IXYS

集射极击穿电压(Vces):600V · 集电极电流(Ic):33A
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TO-3P
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IXYQ40N65B3D1

Littelfuse/IXYS

集射极击穿电压(Vces):650V · 集电极电流(Ic):86A
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3P
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JNG15N120AI

JIAENSEMI(佳恩半导体)

IGBT类型:NPT(非穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
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JNG25N120AI

JIAENSEMI(佳恩半导体)

IGBT类型:NPT(非穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
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封装TO-3P 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3P
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JNG25T65AI

JIAENSEMI(佳恩半导体)

集射极击穿电压(Vces):650V · 集电极电流(Ic):50A
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封装TO-3P 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3P
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JNG40T65AI

JIAENSEMI(佳恩半导体)

集射极击穿电压(Vces):650V · 集电极电流(Ic):80A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-3P 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-3P
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