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TO-264 三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块 现货库存

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TO-264 三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块 现货结果

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FGL40N120ANDTU

onsemi(安森美)

IGBT类型:NPT(非穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
状态现货可下单批号批号 20+起订按需交期核对后发
封装TO-264 可供数量149 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-264
149
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APT100GN60LDQ4G

Microchip(美国微芯)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):600V
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APT102GA60L

Microchip(美国微芯)

IGBT类型:PT(穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):600V
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APT150GN60LDQ4G

Microchip(美国微芯)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):600V
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APT50GF120LRG

Microchip(美国微芯)

IGBT类型:NPT(非穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
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APT50GR120L

Microchip(美国微芯)

IGBT类型:NPT(非穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
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APT50GT120LRDQ2G

Microchip(美国微芯)

IGBT类型:NPT(非穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
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APT50GT120LRG

Microchip(美国微芯)

APT50GT120LRG
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APT64GA90LD30

Microchip(美国微芯)

APT64GA90LD30
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APT68GA60LD40

Microchip(美国微芯)

IGBT类型:PT(穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):600V
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APT70GR120L

Microchip(美国微芯)

IGBT类型:NPT(非穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
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APT80GA60LD40

Microchip(美国微芯)

APT80GA60LD40
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APT80GA90LD40

Microchip(美国微芯)

IGBT类型:PT(穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):900V
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APT85GR120L

Microchip(美国微芯)

IGBT类型:NPT(非穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
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CRG40T120BV3S

CRMICRO(华润微)

集射极击穿电压(Vces):1.2kV · 集电极电流(Ic):80A
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DGL75N120CTL1J

YANGJIE(扬杰)

DGL75N120CTL1J
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FGL40N120ANDTU-HX

ZHHXDZ(海芯电子)

FGL40N120ANDTU-HX的AND系列绝缘栅双极型晶体管（IGBT）采用了非穿通（NPT）技术 ·
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HX40N120-TO264

ZHHXDZ(海芯电子)

IGBT类型:NPT(非穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):200V
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IXBK64N250

Littelfuse/IXYS

集射极击穿电压(Vces):2.5kV · 集电极电流(Ic):75A
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IXGK120N120A3

Littelfuse/IXYS

IGBT类型:PT(穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
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IXGK120N120B3

Littelfuse/IXYS

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IXGK320N60B3

Littelfuse/IXYS

IGBT类型:PT(穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):600V
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IXGK400N30A3

Littelfuse/IXYS

IGBT类型:PT(穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):300V
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IXGK50N120C3H1

Littelfuse/IXYS

IGBT类型:PT(穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
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