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TO-247-3 三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块 现货库存

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TO-247-3 三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块 现货结果

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封装：TO-247-3类目：三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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类目：
IGBT管/模块
品牌：
Microchip(美国微芯)onsemi(安森美)ST(意法半导体)
封装/规格：
TO-247-3
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结果货架 当前页 24 行 / 共 279 个 封装：TO-247-3 / 类目：三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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STGW40H120F2

ST(意法半导体)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
状态现货可下单批号批号 2320+起订按需交期核对后发
封装TO-247-3 可供数量1,000 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-247-3
1,000
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STGWA40H65DFB2

ST(意法半导体)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
状态现货可下单批号批号 24+,22+起订按需交期核对后发
封装TO-247-3 可供数量4,200 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-247-3
4,200
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AFGHL25T120RH

onsemi(安森美)

AFGHL25T120RH
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-247-3
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AFGHL40T120RH

onsemi(安森美)

AFGHL40T120RH
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-247-3
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AFGHL40T120RLD

onsemi(安森美)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-247-3
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AFGHL40T65SQ

onsemi(安森美)

AFGHL40T65SQ
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TO-247-3
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AFGHL40T65SQD

onsemi(安森美)

AFGHL40T65SQD
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-247-3
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AFGY100T65SPD

onsemi(安森美)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
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AFGY120T65SPD

onsemi(安森美)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
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AFGY120T65SPD-B4

onsemi(安森美)

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AFGY160T65SPD-B4

onsemi(安森美)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
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APT100GN120B2G

Microchip(美国微芯)

APT100GN120B2G
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APT100GN60B2G

Microchip(美国微芯)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):600V
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APT150GN60B2G

Microchip(美国微芯)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):600V
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APT200GN60B2G

Microchip(美国微芯)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):600V
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APT20GF120BRDG

Microchip(美国微芯)

APT20GF120BRDG
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APT20GN60BDQ2G

Microchip(美国微芯)

APT20GN60BDQ2G
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TO-247-3
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APT25GN120B2DQ2G

Microchip(美国微芯)

IGBT类型:NPT(非穿通型) · FS(场截止)
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TO-247-3
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APT33GF120B2RDQ2G

Microchip(美国微芯)

IGBT类型:NPT(非穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
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TO-247-3
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APT35GP120B2D2G

Microchip(美国微芯)

APT35GP120B2D2G
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APT35GP120B2DQ2G

Microchip(美国微芯)

APT35GP120B2DQ2G
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-247-3
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APT36GA60BD15

Microchip(美国微芯)

APT36GA60BD15
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-247-3
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APT40GP60B2DQ2G

Microchip(美国微芯)

IGBT类型:PT(穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):600V
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-247-3
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APT40GP90B2DQ2G

Microchip(美国微芯)

IGBT类型:PT(穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):900V
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-247-3
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