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封装：TO-247类目：三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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类目：
IGBT管/模块
品牌：
ST(意法半导体)VBsemi(微碧半导体)Littelfuse/IXYSNCE(无锡新洁能)
封装/规格：
TO-247
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结果货架 当前页 24 行 / 共 543 个 搜索：V / 封装：TO-247 / 类目：三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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VBP16I20

VBsemi(微碧半导体)

IGBT · TO247
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TO-247
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VBP16I40

VBsemi(微碧半导体)

IGBT · TO247
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TO-247
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VBP16I75

VBsemi(微碧半导体)

IGBT · TO247
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VBP16I80

VBsemi(微碧半导体)

IGBT · TO247
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VBP165I60

VBsemi(微碧半导体)

IGBT · TO247
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VBP165I80

VBsemi(微碧半导体)

IGBT · TO247
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VBP112MI25

VBsemi(微碧半导体)

IGBT · TO247
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VBP112MI40

VBsemi(微碧半导体)

IGBT · TO247
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VBP112MI50

VBsemi(微碧半导体)

IGBT · TO247
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VBP112MI75

VBsemi(微碧半导体)

IGBT · TO247
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STGW60V60F

ST(意法半导体)

600 V、60 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT
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STGW30V60F

ST(意法半导体)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):600V
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STGW30V60DF

ST(意法半导体)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):600V
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STGW20NC60V

ST(意法半导体)

集射极击穿电压(Vces):600V · 集电极电流(Ic):60A
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STGW20V60DF

ST(意法半导体)

集射极击穿电压(Vces):600V · 集电极电流(Ic):40A
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STGW60V60DF

ST(意法半导体)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):600V
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STGW80V60DF

ST(意法半导体)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):600V
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STGW39NC60VD

ST(意法半导体)

集射极击穿电压(Vces):600V · 集电极电流(Ic):80A
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IXYH30N450HV

Littelfuse/IXYS

集射极击穿电压(Vces):4.5kV · 耗散功率(Pd):430W
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NCE40TD120VT

NCE(无锡新洁能)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
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NCE50TD120VT

NCE(无锡新洁能)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
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STGW20NC60VD

ST(意法半导体)

集射极击穿电压(Vces):600V · 集电极电流(Ic):60A
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
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STGW40V60DLF

ST(意法半导体)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):600V
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IXYX40N450HV

Littelfuse/IXYS

集射极击穿电压(Vces):4.5kV · 集电极电流(Ic):95A
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