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SOT-227 三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块 现货库存

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SOT-227 三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块 现货结果

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结果货架 当前页 24 行 / 共 36 个 封装：SOT-227 / 类目：三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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APT100GT120JU2

Microchip(美国微芯)

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APT100GT120JU3

Microchip(美国微芯)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
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APT200GT60JR

Microchip(美国微芯)

IGBT类型:NPT(非穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):600V
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APT25GLQ120JCU2

Microchip(美国微芯)

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APT35GT120JU2

Microchip(美国微芯)

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APT40GL120JU2

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APT40GLQ120JCU2

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APT50GF60JU2

Microchip(美国微芯)

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APT50GR120JD30

Microchip(美国微芯)

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APT70GR120J

Microchip(美国微芯)

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APT70GR120JD60

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APT75GT120JU2

Microchip(美国微芯)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
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APT75GT120JU3

Microchip(美国微芯)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
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APT85GR120J

Microchip(美国微芯)

APT85GR120J
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APT85GR120JD60

Microchip(美国微芯)

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GSA100AA60

SanRex Corporation

GSA100AA60
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GSA75AA120

SanRex Corporation

GSA75AA120
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IXYN110N120C4

Littelfuse/IXYS

集射极击穿电压(Vces):1.2kV · 集电极电流(Ic):220A
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MSG100T65HLF4

MASPOWER(麦思浦)

集射极击穿电压(Vces):650V · 集电极电流(Ic):200A
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MSG140T120HLF4

MASPOWER(麦思浦)

集射极击穿电压(Vces):1.2kV · 集电极电流(Ic):280A
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MSG200N38HLF4

MASPOWER(麦思浦)

集射极击穿电压(Vces):350V · 集电极电流(Ic):400A
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VS-GB75NA60UF

Vishay(威世)

VS-GB75NA60UF
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