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D2PAK 三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块 现货库存

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D2PAK 三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块 现货结果

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封装:D2PAK类目:三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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结果货架 当前页 24 行 / 共 66 个 封装:D2PAK / 类目:三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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STGB19NC60KDT4

ST(意法半导体)

集射极击穿电压(Vces):600V · 集电极电流(Ic):35A
状态现货可下单批号批号 21+起订按需交期核对后发
封装D2PAK 可供数量12,000 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
D2PAK
12,000
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AFGB40T65SQDN

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):650V · 集电极电流(Ic):80A
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封装D2PAK 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
D2PAK
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FGB20N60SFD

onsemi(安森美)

FGB20N60SFD
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
D2PAK
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FGB20N60SFD-F085

onsemi(安森美)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):600V
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
D2PAK
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FGB20N6S2

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):600V · 集电极电流(Ic):28A
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
D2PAK
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FGB20N6S2D

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):600V · 集电极电流(Ic):28A
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
D2PAK
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FGB3040G2-F085C

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):400V · 集电极电流(Ic):41A
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D2PAK
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FGB30N6S2T

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):600V · 集电极电流(Ic):45A
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
D2PAK
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FGB3236-F085

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):360V · 集电极电流(Ic):44A
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
D2PAK
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FGB3236-F085C

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):360V · 集电极电流(Ic):44A
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FGB40N6S2

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):600V · 集电极电流(Ic):75A
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
D2PAK
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FGB40N6S2T

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):600V · 集电极电流(Ic):75A
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
D2PAK
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FGB7N60UNDF

onsemi(安森美)

FGB7N60UNDF
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HGT1S12N60B3S

TI(德州仪器)

集射极击穿电压(Vces):600V · 集电极电流(Ic):27A
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HGT1S3N60A4DS9A

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):600V · 集电极电流(Ic):17A
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HGT1S7N60A4DS

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):600V · 集电极电流(Ic):34A
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ISL9V2040S3S

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):430V · 集电极电流(Ic):10A
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
D2PAK
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ISL9V3036S3STSB82029A

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):360V · 集电极电流(Ic):21A
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
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ISL9V3040S3ST-F085C

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):400V · 集电极电流(Ic):21A
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
D2PAK
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NGB15N41CLT4G

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):440V · 集电极电流(Ic):15A
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
D2PAK
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NGB18N40ACLBT4G

Littelfuse(美国力特)

NGB18N40ACLBT4G
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
D2PAK
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NGB8202ANT4G

Littelfuse(美国力特)

NGB8202ANT4G
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
D2PAK
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NGB8204ANT4G

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):430V · 集电极电流(Ic):18A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装D2PAK 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
D2PAK
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NGB8206ANSL3G

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):390V · 集电极电流(Ic):20A
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封装D2PAK 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
D2PAK
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