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TO-263-7L 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货库存

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TO-263-7L 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货结果

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ADG120N080G2

ANHI(安海)

ADG120N080G2
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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BMBF65N050UE1

Bestirpower(萃锦半导体)

漏源电压(Vdss):650V · 连续漏极电流(Id):75A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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FDB024N08BL7(TOKMAS)

Tokmas(托克马斯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):85V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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FDB0630N1507L(TOKMAS)

Tokmas(托克马斯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):150V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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FDB0690N1507L(TOKMAS)

Tokmas(托克马斯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):150V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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IPB019N08N3G(TOKMAS)

Tokmas(托克马斯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):85V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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IPB019N08N5(TOKMAS)

Tokmas(托克马斯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):85V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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IPB025N10N3G(TOKMAS)

Tokmas(托克马斯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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IPB060N15N5(TOKMAS)

Tokmas(托克马斯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):150V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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IPB065N15N3G(TOKMAS)

Tokmas(托克马斯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):150V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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IPB180P04P403ATMA2

Tokmas(托克马斯)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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IPB180P04P4L-02(TOKMAS)

Tokmas(托克马斯)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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NCEP40T35AVD

NCE(无锡新洁能)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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TO-263-7L
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SCT3160KW7HRTL

ROHM(罗姆)

SCT3160KW7HRTL
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SCT4013DW7TL

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):750V
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SCT4018KW7TL

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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SCT4026DW7HRTL

ROHM(罗姆)

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SCT4026DW7TL

ROHM(罗姆)

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SCT4036KW7TL

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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SCT4045DW7HRTL

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):750V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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SCT4045DW7TL

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):750V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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SCT4062KW7HRTL

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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SCT4062KW7TL

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-7L
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