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TO-263-3 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货库存

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TO-263-3 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货结果

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封装：TO-263-3类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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结果货架 当前页 24 行 / 共 108 个 封装：TO-263-3 / 类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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2SK3058-Z-E1-AZ

NEC(日电电子)

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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-3
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2SK3433(0)-Z-E1-AZ

RENESAS(瑞萨)/IDT

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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TO-263-3
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2SK3812-ZP-E1-AZ

RENESAS(瑞萨)/IDT

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TO-263-3
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2SK3902-ZK-E1-AY

RENESAS(瑞萨)/IDT

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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7N65L-TQ2-R

UTC(友顺)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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CSD18510KTTT

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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TI(德州仪器)

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TI(德州仪器)

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TO-263-3
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TI(德州仪器)

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TI(德州仪器)

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TO-263-3
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TI(德州仪器)

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TI(德州仪器)

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TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):80V
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TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):80V
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TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-3
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CSD19536KTTT

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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IPB80P04P4L04ATMA1(TOKMAS)

Tokmas(托克马斯)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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IXFA16N50P

Littelfuse/IXYS

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):500V
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IXTA08N120P

Littelfuse/IXYS

漏源电压(Vdss):1.2kV · 连续漏极电流(Id):800mA
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TO-263-3
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IXTA64N10L2

Littelfuse/IXYS

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):64A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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